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电源模块瞬态热电阻测量设备

电源模块瞬态热电阻测量设备

瞬态热电阻测量设备是用于测量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬态热电阻的仪器。

(左图)照片为Model2085瞬态热电阻测量仪

特点

  1. BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬态热电阻测量设备
    本设备向晶体管的基极•发射极通入微电流,测量此时基极与发射极之间的电压。随后在集电极与发射极之间施加电源,提升结点温度。切断电源后再次向晶体管的基极•发射极通入微电流,测量基极与发射极之间的电压,计算出差值。
  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)瞬态热电阻测量仪
    与BJT瞬态热电阻测量仪在同一时间计算栅极与发射极之间电压差值的测量仪器。
  3. P-MOS FET瞬态热电阻测量仪
    与BJT瞬态热电阻测量仪在同一时间计算栅极与源极之间电压差值的测量仪器。
  4. 能够测量二极管的ΔVF

主要的设备规格

Model No. 2082B 2083 2085 2086
测量条件 VCB 2~199V
IE 0.1~29.9A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
1,2,5,10mS
20,50,100, 200mS
500, 1000mS
VCB 2~599V
IE 0.1~249.9A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
VCB 2~599V
IE 0.1~500.0A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
VCB 2~99V
IE 0.1~99.9A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2,5S,DC
测量范围 ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
ΔVGS
10mV~9.99V
VGS (max) 20V
ΔVBE
1~1999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVBE
1~1999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
采样点 Td 50~990µS Td 50~990µS Td 50~990µS Td 50~990µS
最大偏置条件 ・PW 1mS时
VCB 199V
IE 29.9A
・PW 1S时
VCB 20V
IE 20.0A
・PW 100µS时
VCB 599V
IE 250A
・PW 2S时
VCB 20V
IE 50A
・PW 100µS时
VCB 599V
IE 500A
・PW 2S时
VCB 20V
IE 100A
・PW 100µS时
VCB 99V
IE 99.9A
・PW DC时
VCB 10V
IE 50A
样品极性 Nch/Pch
NPN/PNP
NPN NPN NPN
电源 AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±10%
50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm] W670
D750
H1400
W820
D1350
H1700
W820
D1350
H1700
W670
D750
H1400
Model No. 2087 2185 2186
测量条件 VCB 2~1200V
IE 0.1~999.9A
IM 1~999mA
精度±1%
PW
0.1~99.9mS
1~999mS
0.01~9.99S
0.1~99.9S
1~999S
VCE 5~99V
IE 1~399A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
1,2,5, 10mS
20,50, 100,mS
200,500mS
1,2,5,10S
VCE 10~1200V
IE 0.1~99.9A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
测量范围 ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVGE
5~1999mV
VGE (max) 20V
精度±1%
ΔVGE
10~999mV
VGE (max) 20V
精度±1%
采样点 Td 50~990µS Td 50~990µS Td 50~990µS
最大偏置条件 ・PW 100µS时
VCB 1200V
IE 1000A
・PW 2S时
VCB 20V
IE 200A
・PW 1mS时
VCE 99V
IE 399A
・PW 2S时
VCE 20V
IE 100A
・PW 100µS时
VCE 1200V
IE 99.9A
・PW 2S时
VCE 20V
IE 50A
样品极性 NPN Nch
NPN
Nch
NPN
电源 AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±5%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±5%
50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm] W1600
D2000
H1600
W1520
D2100
H1750
W800
D1600
H2000

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