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Hitachi

日立ハイテクソリューションズ

バッチ式イオンビームミリング装置

特長

  • 最大Φ580のバケット型イオン源
  • 高均一性と高スループットの両立が可能
  • エッチング高レートと低レートの制御が可能
  • ウェーハ(基板)自公転ステージ
  • 角形状基板など 異形基板対応、異形基板混合対応、基板サイズ兼用可能

主な用途

  • 磁気ヘッド用微細加工、プリンターヘッドなどの微細加工など

装置評価

  • お客さまの用途に合わせたサンプル処理を初回無償で提供します。ウェーハサイズ、処理枚数などについては当社までお問い合わせください。


加工室内(イメージ図)

仕様

型式IM-580IML-580-LL
イオン源サイズ Φ580 Φ580
イオン源電圧 300~1000V
電流密度 ~1mA/cm2
対象基板 Φ4インチ×10
Φ5インチ×9
Φ6インチ×8
Φ6インチ×6
ホルダー動作 自公転・傾斜(※)
ホルダー冷却 水冷/ガス冷 水冷/ガス冷
ウェーハ交換 手動 カセットtoカセット

カセットtoカセットの装置も可能です。

製品ラインアップ

小型イオンビームミリング装置

枚葉式イオンビームミリング装置

お問い合わせ先(営業)

  • TEL 03-6758-2091
  • FAX 03-3504-5194

当社製品のご購入やサービスの導入をご検討されているお客さまのご質問、ご相談などを承ります。ぜひ、お気軽にご相談ください。

関連リンク

イオンビームミリング装置の保守・サービス会社のWebサイトです。