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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

マイクロサンプリングはFIB加工装置内で、イオンビームと微小プローブを用いて、バルク試料の任意の位置からマイクロサンプルを摘出することができるシステムです。

マイクロサンプリングを用いると、バルク試料からサブミクロンの高い位置精度で直接、数µm~数十µmのマイクロサンプルを取り出すことができます。

発表以来、電子顕微鏡用薄膜試料の作製に欠かせないテクニックとして内外から高い評価をいただいています。

価格:お問い合わせください

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

特長

マイクロサンプリング®ユニットとFIBマイクロサンプリング法

FIBマイクロピラーサンプリング例

半導体デバイスのバルク試料から、解析箇所を含むマイクロサンプルを直接摘出し、ピラー(柱)状に加工しました。
集束イオンビームの走査形状を変更することで、試料を任意のサイズで摘出し、さまざまな形状に加工することができます。

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:「マイクロサンプリング」は、日本国内における登録商標です

システム構成例

FIB-STEMシステム

FB2200、あるいはNB5000を、透過能力の高い走査透過電子顕微鏡(HD-2700、加速電圧:200kV)と組み合わせることで、半導体デバイスの不良解析や各種先端材料のナノ構造解析を短時間で行うことが可能です。

観察例

ニードルステージ上のマイクロピラーSEM像観察例

マイクロピラーサンプルの明視野STEM像観察例

マイクロサンプリング®の歴史

1991年 日立製作所中央研究所にて、FIBによる半導体レーザー素子のTEM試料作製に成功
J. Szot, R. Hornsey, T. Ohnishi and S. Minagawa J.Vac.Sci.Technol. B10, 575
1994年 集束イオンビーム加工観察装置FB-2000発売。FIB/TEM共用ホルダを搭載(世界初)
T. Ishitani, H. Tsuboi, T. Yaguchi and H. Koike J. Electron Microsc 43, 322, 他
1996年 FB-2000A発売
1999年 TEM試料作製前処理装置「マイクロサンプリング®システム」を発売(世界初)
2001年 「電子顕微鏡用マイクロサンプリング技術の開発」で第21回精密工学会技術賞受賞
2002年 40kV集束イオンビーム加工観察装置FB-2100発売
2007年 新形マイクロサンプリング®システム搭載集束イオン/電子ビーム加工観察装置NB5000発売

 

知的財産権

マイクロサンプリングは、基本特許を含む30件以上の日立特許により保護されています。
また、「マイクロサンプリング」は、株式会社日立製作所の日本国内における登録商標です。

基本原理 USP5,270,552
装置構成・使用方法 特許第3547143号、特許第3613039号、特許第3633325号、特許第3677968号、特許第3709886号、特許第3805547号、 特許第4016981号、特許第4048210号、特許第4100450号、特許第4177860号、特許第4185961号、特許第4185962号、 USP6,538,254、USP7,138,628
SEM/STEM観察機能 特許第3874011号、特許第3897271号、特許第3904018号、特許第3904019号、特許第3904020号、特許第3941816号、特許第4090567号、USP7,205,554
共用ホルダ(ホルダリンケージ) 特許第2842083号、特許第3383574号、特許第3695181号、特許第4185963号、特許第4194529号、特許第4654216号、 特許第4199996号、特許第4896096号、USP6,828,566、USP7,397,052
ロードロック機構(プローブ交換) 特許第3652144号、特許第3771926号、特許第3851464号、特許第3851640号
商標 商標登録第4399203号、商標登録第4401176号
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:2012年4月時点
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:マイクロサンプリング®は、基本特許を含む30件以上の特許により保護されています