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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

新型光学系搭載により、世界最高水準のSIM像分解能・大電流対応による加工スピードの向上・低加速電圧観察時の分解能向上によるさらに高品位なTEM試料作製を実現した、高性能集束イオンビーム(FIB)装置です。
断面加工観察、高品位TEM試料作製、回路修正、ベクタースキャン加工、ミクロン~ナノスケールの微細パターニングやナノ金型加工、デポジションによる3次元構造物の作製など、多種多様なサンプルとアプリケーションを実現します。

価格:お問い合わせください

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

特長

最大プローブ電流90nAにより加工の高速化と大面積加工を実現

ワイヤーボンディングの断面加工
(加工サイズ 幅:95µm 深さ:55µm、 加工時間 20min)

極低加速電圧(0.5kV~)加工および低加速電圧時の二次電子像分解能向上により、更なる低ダメージTEM試料作製が可能

*
1kV以下はオプション

二次電子像分解能4nm@30kVによる高分解能SIM像観察が可能


正常箇所


折り曲げ箇所

アルミ缶の断面SIM像

高精度5軸電動メカニカルユーセントリックステージ採用

ステージ移動(含むチルト)を伴う複数箇所の多様な加工が自動運転で可能です。

優れた操作性と豊富な加工モード

  • 断面作製プログラム加工
  • TEM/STEM試料プログラム加工
  • 連続自動加工
  • 連続TEM試料自動仕上げ加工ソフトウェア
  • ビットマップ加工
  • ベクタースキャン加工
  • 3Dナノ精度構造物作製 その他


空中ナノ配線の作製
試料提供: 兵庫県立大学 松井真二様

SIM像の3D再構築解析

等間隔のスライス断面加工と観察を繰り返し、複数枚の断面SIM像を取得し3D再構築することが可能です。複合粒子の分散状態や空孔などの3次元情報を可視化する場合などに有効です。


半導体封止材中のフィラー分散解析例

マルチガス供給システム(MGS-II)を用いた回路修正

保護膜材料、配線材料、絶縁膜、増速エッチングなどさまざまな用途に合わせて、複数のガスを照射できるシステムです。

  • タングステンデポジションガス
  • プラチナデポジションガス
  • 絶縁膜生成用デポジションガス
  • 弗化キセノンエッチングガス
  • 有機系エッチングガス
  • カーボンデポジションガス


XeF2ガスを用いたハイアスペクトホール加工
およびタングステンデポジションによるパッド出し

豊富な座標リンケージ機能

日立ハイテクサイエンス独自の豊富な座標リンケージ機能により、正確な加工位置決定と大幅時間短縮が図れます。

  • 光学顕微鏡像とSIM像のリンケージ
    ダブルカーソル機能
    日本特許第4634134号 米国特許第7595488号
  • 欠陥検査装置との座標リンケージ
    割断されたウエーハやチップでも欠陥検査装置との座標リンケージが可能です。
  • CADナビゲーションシステムとのリンケージ

仕様

項目内容
試料サイズ 50mm×50mm×12mm(t)以下
試料ステージ 5軸電動ユーセントリックステージ
加速電圧 1~30kV (0.5kV~ オプション)
(0.5~1.0kV : 0.1kVステップで変更可能)
(1.0~2.0kV : 0.2kVステップで変更可能)
二次電子観察像分解能 4nm@30kV
最大プローブ電流 90nA
最大プローブ電流密度 50A/cm2

特別付属品(オプション)

  • 4chマルチガス供給システムII
  • 連続自動加工ソフトウェア
  • TEM試料自動加工ソフトウェア
  • マニピュレータ顕微鏡 他
*
:その他MIシリーズの豊富なオプションを選択できます。

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