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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

三次元構造解析の理想を追求しました

FIBによる断面作製とSEM観察を自動で繰り返すことで、連続断面シリーズ像を収集し、特定微小部の三次元構造を再構築できます。
最適なカラムレイアウトの採用により、先端材料やデバイスから生物組織にわたる幅広い分野で、従来の装置では困難だった高精度の三次元構造解析を実現します。

価格:お問い合わせください

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

特長

  • SEMカラムとFIBカラムを直角に配置することで、三次元構造解析に最適なカラムレイアウトを実現
  • 高輝度冷陰極電界放出形電子銃と高感度検出系の組み合わせにより磁性材料から生物組織まで、さまざまな試料の解析をサポート
  • 定評あるマイクロサンプリング®*とトリプルビーム®システム*により、TEMやアトムプローブの高品位試料作製にも対応

本来の試料構造を忠実に反映する、垂直入射断面SEM観察

SEMカラムとFIBカラムを直角に配置することで、FIB加工断面の垂直入射SEM観察を実現。
従来のFIB-SEMの傾斜断面観察では避けられなかった、断面SEM像の縮みや連続画像収集時の視野逃げを回避。
本来の構造に忠実な画像が安定して得られることから、精度の高い三次元構造解析を実現。
また、FIB加工断面(SEM観察断面)が試料表面と平行になるため、光学顕微鏡画像などとの相関をとるうえでも有利。

従来のFIB-SEM、直交型FIB-SEM

試料:マウス脳神経細胞
試料ご提供:自然科学研究機構・生理学研究所 窪田 芳之 様

さまざまな材料に対応する、Cut&See・3D-EDS*1・3D-EBSD*1

Cut&See

生物組織や半導体から鉄鋼やニッケルなどの磁性材料まで、低加速電圧での高分解能・高コントラスト観察に対応。
FIB加工とSEM観察の間の装置条件の変更も不要で、高スループットで連続断面シリーズ像を収集可能。

抽出断面画像・三次元再構築画像

試料:ニッケル
SEM加速電圧:1 kV
加工ステップ:20 nm
繰り返し回数:675回

3D-EDS*1

断面SEM像だけでなく、断面元素マップの連続シリーズ収集にも対応。
シリコンドリフト式大立体角EDS検出器*1と組み合わせることで、測定時間の短縮・低加速電圧での元素マッピングも可能。

3D-EDS画像

試料:燃料電池電極
SEM加速電圧:5 kV
加工ステップ:100 nm
繰り返し回数:212回

試料ご提供:東京大学 生産技術研究所 教授 鹿園直毅様

3D-EBSD*1

SEM・FIB・EBSD検出器*1の最適配置により、FIB加工とEBSD分析の間でステージを移動することなく3D-EBSDを実現。ステージ移動を伴わないことから、三次元結晶方位解析の精度・スループットを大幅に向上。

3D-EBSD画像

試料:ニッケル
SEM加速電圧:20 kV
加工ステップ:150 nm
繰り返し回数:150回

*1:
オプション
  • * 「マイクロサンプリング」は、株式会社日立製作所の日本国内における登録商標です(商標登録第4399203号、商標登録第4401176号)。
    「トリプルビーム」は、株式会社日立ハイテクサイエンスの日本国内における登録商標です(商標登録第5136729号)。この記載内容は2015年5月現在のものです。特許の状況は審判等により変動する可能性があります。
  • * 集束イオンビーム(FIB)技術、マイクロサンプリング技術に関し、以下の特許などを保有しています。
    特許第3547143号、特許第3613039号、特許第3624721号、特許第3677968号、特許第3709886号、特許第3736333号、特許第4096916号、特許第4100450号、特許第4111227号、特許第4177860号、特許第4185961号、特許第4185962号、特許第4185963号、特許第4353962号、特許第4354002号、特許第4570980号、特許第4590007号、特許第4590023号、特許第4612746号、特許第5017059号、特許第5125174号、特許第5125184号、特許第4878135号、特許第3544438号、特許第4570980号、特許第5017059号、特許第5595054号、特許第5710887号、特許第5612493号

仕様

仕様
項目内容
SEM 電子源 冷陰極電界放出形
加速電圧 0.1 ~ 30 kV
分解能 2.1 nm@1 kV
1.6 nm@15 kV
FIB イオン源 ガリウム液体金属イオン源
加速電圧 0.5 ~ 30 kV
分解能 4.0 nm@30 kV
最大ビーム電流 100 nA
標準検出器 インカラム二次電子検出器/インカラム反射電子検出器/
試料室設置二次電子検出器
ステージ X 0 ~ 20 mm *2
Y 0 ~ 20 mm *2
Z 0 ~ 20 mm *2
θ 0 ~ 360° *2
τ -25 ~ 45° *2
最大試料サイズ 6 mm角 × 2 mm厚
*2:
試料ホルダにより、ストロークに制限があります

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