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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

低加速電圧での観察と分析を融合したSU8200 Series

新開発のコールドFE電子銃は、電子源にガス分子が付着する前の高輝度安定領域を利用することで、高輝度で長時間安定したエミッション電流を実現しています。これにより、低加速電圧条件下でも大きなプローブ電流が得られ、明るく、S/Nに優れた画像を提供し、安定性と信頼性のある画像観察を可能にしています。

また観察性能については、ステージと試料室の耐振性向上と光学系の最適化により、加速電圧(15 kV)分解能を1.0nm(従来機種「SU8000」シリーズ)から0.8nmへと約20%向上し、照射電圧(1kV)の分解能においても1.3nmから1.1nmに、約15%向上しました。

価格:お問い合わせください

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

特長

  • 新開発のコールドFE電子銃を搭載
  • フラッシング直後の高輝度状態を長時間使用可能。低加速電圧での高分解能観察と大照射電流観察を両立
  • コンタミネーションの影響を軽減させた高真空試料室
  • Top検出器搭載のフィルター機能(オプション)による、材料コントラストの向上

SU8200:光学系/検出系 概略図
SU8200:光学系/検出系 概略図

減速光学系と組み合わされたTop検出器はTopフィルターを用いることで、特に低照射電圧観察時に微細なコントラスト差を識別します。

反射電子の中でもLow Loss BSE(LLBSE)と言われる特にエネルギー損失の少ない電子は試料最表面の情報を有します。
このLLBSEを選択的に検出するTop検出器+フィルターの像(右)では試料最表面数nm厚みの材料分布が観察されています。

試料:リチウムイオン電池正極材

仕様

項目SU8220SU8230SU8240
二次電子分解能*1 0.8 nm (加速電圧15 kV、WD=4 mm、倍率270 kx)
1.1 nm (照射電圧1 kV、WD=1.5 mm、倍率200 kx)*2
照射電圧 0.01~30 kV
倍率 20~1,000,000倍*3
ステージ制御 5軸モーター駆動 5軸モーター駆動 5軸モーター駆動
Regulus®ステージ*4
可動範囲X 0~50 mm 0~110 mm 0~110 mm
Y 0~50 mm 0~110 mm 0~80 mm
R 360°
Z 1.5~30 mm 1.5~40 mm 1.5~40 mm
T -5~70°
ステージ再現性 - - ±0.5 µm以下
*1:
自社試料のSEM像から最小の粒子間Gapを測定
*2:
リターディングモードによる観察
*3:
127 mm×95 mmを表示サイズとして倍率を規定
*4:
Regulus®(REGULated Ultra Stable:日立ハイテク製高性能ステージ)は、株式会社 日立ハイテクノロジーズの日本における登録商標です

観察例

生物

出芽酵母のクライオSEM観察例

加速電圧:1.5 kV、二次電子像
クライオトランスファーシステム:Quorum Technologies社製PP3000 T

走磁性細菌のSTEM観察例

加速電圧:30 kV、
左:STEM明視野像、右:STEM暗視野像

材料

アスベスト繊維(クロシドライト):SEM-STEMでの格子像観察例

加速電圧:30 kV
STEM像上でのラインプロファイルから (100)面 の格子間隔(d=0.84 nm)を識別できていることが分かります。

グラフェン:SEM-AFMリンケージ機能(SӔMic.)による同一箇所観察例

SEM(左)/照射電圧:0.05 kV、二次電子像
AFM/(中):形状像、(右):KFM(表面電位)像

半導体

SRAM断面のドーパント観察例

イオンミリング装置:IM4000による断面仕上げ処理を適用
Processing : Flat milling, Vacc. : 0.5 kV
Eccentricity : 0, Tilt : 15°, Mode : F0

FIB (40 kV) + IM4000
SEM加速電圧:1.5 kV
FIB (40 kV) + IM4000

デバイスの広領域・高精細観察例

ステージ移動と像取得を自動実行 して広い面積を高精細に観察
(Zigzagキャプチャ機能:オプション)

加速電圧: 5 kV
倍率 : ×20,000倍/枚
取得枚数: 42 × 14 = 588 枚
取得時間:260 分

トピックス

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