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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

  • パワーモジュール、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、Diodeなどの各種静特性を測定。
  • 常温~高温で測定し、良否判定を行う。

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

主な装置仕様

耐圧リーク系 最大2000V (特注:4000V)
電流系 最大1000A (特注:2000A)
温度 ~150° C
素子数 ~6素子フルブリッジ+ブレーキ素子
測定治具 各種対応

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