ページの本文へ

Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

  • パワーモジュール(IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等)の動特性を測定
  • 1台でスイッチングタイム、VCE(SUS)、負荷短絡測定を実現
  • 低インダクタンス切替器内蔵
  • 高温/低温環境下での動特性測定も可能(温度設定範囲:-40~150°C)

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

主な装置仕様

耐圧リーク系 最大2000V (特注:4000V)
電流系 最大1000A (特注:2000A)
温度 ~150°C
素子数 ~6素子フルブリッジ+ブレーキ素子
測定治具 各種対応

関連製品