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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

過渡熱抵抗測定装置は、IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等の過渡熱抵抗を測定する装置です。

(左図)写真は過渡熱抵抗測定器 Model2085

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

特長

  1. BJT (Bipolar Junction Transistor)過渡熱抵抗測定装置
    トランジスターのベース・エミッター間に微少電流を流し、その時のベース・エミッター間電圧を計り、その後、コレクター・エミッター間に電力を印加し、ジャンクション温度を上昇させ、電力切断後再びベース・エミッター間に微少電流を流し、ベース・エミッター間電圧を計り、その差を求める測定装置です。
  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)過渡熱抵抗測定器
    BJT過渡熱抵抗測定器と同じタイミングでゲート・エミッター間の電圧差を求める測定装置です。
  3. P-MOS FET過渡熱抵抗測定器
    BJT過渡熱抵抗測定器と同じタイミングでゲート・ソース間の電圧差を求める測定装置です。
  4. ダイオードのΔVFを測定することができます。

主な装置仕様

Model No.2082B208320852086
測定条件 VCB 2~199V
IE 0.1~29.9A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
1,2,5,10mS
20,50,100, 200mS
500, 1000mS
VCB 2~599V
IE 0.1~249.9A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
VCB 2~599V
IE 0.1~500.0A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
VCB 2~99V
IE 0.1~99.9A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2,5S,DC
測定範囲 ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
ΔVGS
10mV~9.99V
VGS (max) 20V
ΔVBE
1~1999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVBE
1~1999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
サンプリング点 Td 50~990µS Td 50~990µS Td 50~990µS Td 50~990µS
最大バイアス印加条件 ・PW 1mS時
VCB 199V
IE 29.9A
・PW 1S時
VCB 20V
IE 20.0A
・PW 100µS時
VCB 599V
IE 250A
・PW 2S時
VCB 20V
IE 50A
・PW 100µS時
VCB 599V
IE 500A
・PW 2S時
VCB 20V
IE 100A
・PW 100µS時
VCB 99V
IE 99.9A
・PW DC時
VCB 10V
IE 50A
試料極性 Nch/Pch
NPN/PNP
NPN NPN NPN
電源 AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±10%
50/60Hz 1Φ
外形寸法[mm] W670
D750
H1400
W820
D1350
H1700
W820
D1350
H1700
W670
D750
H1400
Model No.208721852186
測定条件 VCB 2~1200V
IE 0.1~999.9A
IM 1~999mA
精度±1%
PW
0.1~99.9mS
1~999mS
0.01~9.99S
0.1~99.9S
1~999S
VCE 5~99V
IE 1~399A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
1,2,5, 10mS
20,50, 100,mS
200,500mS
1,2,5,10S
VCE 10~1200V
IE 0.1~99.9A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
測定範囲 ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVGE
5~1999mV
VGE (max) 20V
精度±1%
ΔVGE
10~999mV
VGE (max) 20V
精度±1%
サンプリング点 Td 50~990µS Td 50~990µS Td 50~990µS
最大バイアス印加条件 ・PW 100µS時
VCB 1200V
IE 1000A
・PW 2S時
VCB 20V
IE 200A
・PW 1mS時
VCE 99V
IE 399A
・PW 2S時
VCE 20V
IE 100A
・PW 100µS時
VCE 1200V
IE 99.9A
・PW 2S時
VCE 20V
IE 50A
試料極性 NPN Nch
NPN
Nch
NPN
電源 AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±5%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±5%
50/60Hz 1Φ
外形寸法[mm] W1600
D2000
H1600
W1520
D2100
H1750
W800
D1600
H2000

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