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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

デジタルモバイル機器、白物家電製品、自動車、鉄道などに用いられるパワー半導体のシリコン加工に対応します。
マイクロ波ECR方式の高密度プラズマに加え、低温エッチング技術、TM(Time Modulation)バイアス技術の適用により、堆積性の低いクリーンなプロセスの採用が可能となり、滑らかな側壁形状を実現し、高い量産性を提供します。

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

仕様

仕様
対応ウェーハ径 150mm、200mm
装置構成 最大2エッチング+2後処理チャンバ搭載可能
一部仕様は写真と異なる場合があります。

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