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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

日立ハイテクが長年蓄積した集束イオンビームに関する測定手法、測定例の一部をご紹介いたします。
以下のリストのデータをはじめとした、さまざまなアプリケーションデータは、弊社会員制情報検索サイト「S.I.navi(エスアイナビ)」でご提供しています。

  • :「S.I.navi」内の日立電子顕微鏡ユーザー限定サイト「Semevolution(セメボリューション)」でご提供しています。「S.I.navi」サイトで、ご使用製品に日立電子顕微鏡をご登録いただくと、「Semevolution」の閲覧が可能になります。
Data No. タイトル
FIB021
FIB020
FIB019
FIB018
ユーザー限定
  • 使用装置:   走査透過電子顕微鏡 HD-2700
  •         集束イオンビーム加工観察装置 FB-2100
  • キーワード:FIB、Low-k材、試料冷却、低損傷、高位置精度薄膜作製法、マイクロサンプリング法、階段状加工、水平補正、シュリンク
FIB017
ユーザー限定
  • 使用装置:   走査透過電子顕微鏡 HD-2300
  •         集束イオンビーム加工観察装置 FB-2100
  •         FIB-STEM共用3D解析ホルダー
  • キーワード:FIB、三次元観察、FIB-STEM共用3D解析ホルダー、マイクロサンプリング法、ピラー状サンプル、マイクロピラー
FIB016
ユーザー限定
  • 使用装置:   透過電子顕微鏡 H-9500
  •         集束イオンビーム加工観察装置 FB-2100
  •         FIB-STEM(TEM)共用3D解析ホルダー
  • キーワード:TEM、FIB、FIB-STEM(TEM)共用3D解析ホルダー、マイクロサンプリング法、三次元観察
FIB015
ユーザー限定
  • 使用装置:   集束イオンビーム加工観察装置 FB-2100
  • キーワード:FIB加工装置、マイクロサンプリング法、高速FIB加工、Wデポジション、スキャン方向、Dwell Time、半導体解析
FIB011
ユーザー限定
  • 使用装置:   集束イオンビーム加工観察装置 FB-2100
  • キーワード:FIB、高速低損傷加工、マイクロサンプリングシステム、共用ホールダ、256M DRAM、トナー、化合物半導体、Bright-Field STEM像、SEM像
FIB010
ユーザー限定
  • 使用装置:   電界放出形走査電子顕微鏡 S-4300SE
  •         電界放出形分析電子顕微鏡 HF-2200
  •         超薄膜評価装置 HD-2000
  •         集束イオンビーム加工観察装置 FB-2100
  • キーワード:マイクロサンプリング、AI電界コンデンサ、AIアノード酸化皮膜、SIM像、STEM像、高分解能像、EDX分析、組成分布像
FIB009
ユーザー限定
  • 使用装置:   超薄膜評価装置 HD-2000
  •         集束イオンビーム加工観察装置 FB-2000A
  • キーワード:STEM、FIB、Zコントラスト、マイクロサンプリング、EDX、触媒、貴金属粒子
FIB008
ユーザー限定
  • 使用装置:   電界放出形分析電子顕微鏡 HF-2200
  •         超薄膜評価装置 HD-2000
  •         集束イオンビーム加工観察装置 FB-2000A
  • キーワード:マイクロサンプリング法、三次元構造解析、SRAM、DRAM、TEGパターンSIM像、Dark-Field STEM像、Bright-Field STEM像
FIB007
ユーザー限定
  • 使用装置:   超薄膜評価装置 HD-2000
  •         集束イオンビーム加工観察装置 FB-2000A
  • キーワード:STEM、FIB、マイクロサンプリング、反射電子像、元素マッピング像、生体硬組織材料
FIB006
ユーザー限定
  • 使用装置:   超薄膜評価装置 HD-2000
  •         集束イオンビーム加工観察装置 FB-2000A
  • キーワード:マイクロサンプリング、Ni基単結晶超合金、SIM像、STEM像、EDXマッピング