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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

ナノアート

電顕内で作ったSiC結晶

©日立計測エンジニアリング(株) 上野武夫、矢口紀恵、石神賢一

グラファイトとSiの混合粉体を1,500℃に加熱し、Siとグラファイトを反応させ、SiCの結晶を成長させた。 写真は、その反応の観察例である。左が反応前、右が反応後、1,500℃で撮影した透過像である。 グラファイト(002)面(d = 0.335 nm)上にSiC(006)面(d = 0.252 nm)が成長している。

1993年(第49回)日本電子顕微鏡学会
写真コンクール 出展作品

撮影条件

  • 試料:グラファイトとSiの混合粉体
  • 測定装置:電子顕微鏡 H-9000NAR
  • 撮影倍率:300,000倍
  • 加速電圧:300 kV
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: 作成者の所属情報は作成当時の情報です。
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: この作品は日本顕微鏡学会主催、「写真コンクール」に出展された作品です。
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