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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

ナノアート

星の紋章

©(株)日立サイエンスシステムズ 矢口紀恵、佐藤高広、上野武夫
©(株)日立ハイテクノロジーズ 大塚久史

これは、Si [111] の晶帯軸入射の大角度収束電子回折(Large Angle Convergent Beam Electron Diffraction:LACBED)パターンです。
収束された電子線によって、Si結晶を構成する原子の配列から美しい対照性をもった幾何学パターンが生まれます。それは、多くの結晶学的情報を含んだ紋章と言えるのではないでしょうか?

2002年(第58回)日本電子顕微鏡学会
写真コンクール 出展作品

撮影条件

  • 試料:Si単結晶薄膜
  • 測定装置:電子顕微鏡 H-9000NAR
  • 加速電圧:200 kV
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: 作成者の所属情報は作成当時の情報です。
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: この作品は日本顕微鏡学会主催、「写真コンクール」に出展された作品です。
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: 「nanoart」に掲載された写真、文章の無断転載を禁じます。
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: 「nanoart」は(株)日立ハイテクノロジーズの日本国内における登録商標です。