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Hitachi

日立高新技术在中国

追求最完美的TEM样品制备工具

在尖端设备及高性能纳米材料的评价和分析领域,FIB-SEM已成为不可或缺的工具。
近来,目标观察物更趋微细化;更薄,更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司,整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术,再加上加工方向控制技术以及Triple Beam®*1(选配)技术,推出了新一代产品NX2000

特点

运用高对比度,实时SEM观察和加工终点检测功能,可制备厚度小于20 nm的超薄样品





FIB加工时的实时SEM观察*2
样品:NAND闪存
加速电压:1 kV
FOV:0.6 µm

加工方向控制技术(Micro-sampling®*3系统(选配)+高精度/高速样品台)对于抑制窗帘效应的产生,以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。


加工方向控制


常规加工时

Triple Beam®*1(选配)可提高加工效率,并能使消除FIB损伤自动化

EB:Electron Beam(电子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦离子束)
Ar:Ar ion beam(Ar离子束)

*1
:FIB、Ar/Xe波束、SEM系统“Triple Beam®”受日本专利法保护(专利第4309711号、 专利第4365438号、专利第4878135号、专利第4995802号等)。
*2
:FIB加工时的实时SEM观察功能受日本专利法保护(专利第3354846号、 专利第3544438号、专利第3597761号、专利第3897271号等)。
*3
:TEM样品制备系统“Micro-sampling®”受日本专利法保护(专利第3547143号、 专利第3613039号、专利第3624721号、专利第3677968号、专利第3709886号、专利第3736333号、 专利第4096916号、专利第4100450号、专利第4111227号、专利第4177860号、专利第4185961号、 专利第4185962号、专利第4185963号、专利第4353962号、专利第4354002号、专利第4570980号、 专利第4590007号、专利第4590023号、专利第4612746号、专利第5017059号、专利第5125174号、 专利第5125184号等)。

以上专利的记载内容为2014年7月的最新信息。法院裁决等因素可能导致专利状况发生变化。

规格

项目内容
FIB镜筒
分辨率 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速电压 0.5~30 kV
束流 0.05 pA ~ 100 nA
FE-SEM镜筒
分辨率 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
加速电压 0.5~30 kV
电子枪 冷场场发射型
探测器
標準検出器 In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器
样品台 X:0 ~ 205 mm
Y:0 ~ 205 mm
Z:0 ~ 10 mm
R:0 ~ 360°连续
T:-5 ~ 60°

选购件

  • Ar/Xe离子束系统
  • Micro-sampling®*3系统
  • 缺陷检测设备联用软件
  • CAD联用导航软件
  • EDS(能谱仪)
  • TEM样品精加工向导
  • TEM样品厚度管理软件
  • 连续A-TEM
  • 实时画质优化系统
  • Swing加工功能(用于Triple Beam®*1
  • 等离子清洗机
  • 真空转移机构
  • 冷台

通过电话咨询

日立高新技术(上海)贸易有限公司

生命科学系统本部 先端分析装置部

电话 : 010-65908705

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