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日立高新技术在中国

追求理想的三维结构分析

通过自动重复使用FIB制备截面和进行SEM观察,采集一系列连续截面图像,并重构特定微区的三维结构。
采用最理想的镜筒布局,从先进材料、先进设备到生物组织——在宽广的领域范围内实现传统机型难以企及的高精度三维结构分析。

特点

  • SEM镜筒与FIB镜筒互成直角,形成三维结构分析最理想的镜筒布局
  • 融合高亮度冷场发射电子枪与高灵敏度检测系统,从磁性材料到生物组织——支持分析各种样品
  • 通过选配口碑良好的Micro-sampling®系统*和Triple Beam®系统*,可支持制作高品质TEM及原子探针样品

垂直入射截面SEM观察可忠实反映原始样品结构

SEM镜筒与FIB镜筒互成直角,实现FIB加工截面的垂直入射SEM观察。
旧型FIB-SEM采用倾斜截面观察方式,必定导致截面SEM图像变形及采集连续图像时偏离视野,直角型结构可避免出现此类问题。
通过稳定获得忠实反映原始结构的图像,实现高精度三维结构分析。
同时,FIB加工截面(SEM观察截面)与样品表面平行,有利于与光学显微镜图像等数据建立链接。

旧型FIB-SEM、直角型FIB-SEM

样品:小白鼠脑神经细胞
样品来源:自然科学研究机构/生理学研究所 窪田芳之 先生

Cut&See/3D-EDS*1/3D-EBSD*1可支持各种材料

Cut&See

从生物组织及半导体到钢铁及镍等磁性材料——支持低加速电压下的高分辨率和高对比度观察。
FIB加工与SEM观察之间切换时,不需要重新设定条件,可高效率的采集截面的连续图像

提取截面图像・三维重构图像

样品:镍
SEM加速电压:1 kV
加工间距:20 nm
重复次数:675次

3D-EDS*1

不仅支持截面SEM图像,也支持连续采集一系列截面的元素分布图像。
通过选配硅漂移式大立体角EDS检测器*1,可缩短测定时间以及可在低加速电压下采集元素分布图像。

3D-EDS图像

样品:燃料电池电极
SEM加速电压:5 kV
加工间距:100 nm
重复次数:212次

样品来源:东京大学 生产技术研究所 鹿园直毅 教授

3D-EBSD*1

以最理想的方式配置SEM/FIB/EBSD检测器*1,在FIB加工与EBSD分析之间无需移动样品台即可实现3D-EBSD。因为无需移动样品台,所以可大幅提高三维晶体取向分析的精度和效率。

3D-EBSD图像

样品:镍
SEM加速电压:20 kV
加工间距:150 nm
重复次数:150次

*1:
选配
  • * 聚焦离子束(FIB)技术和超薄样品制备技术拥有以下专利。
    专利号第3547143号、专利号第3613039号、专利号第3624721号、专利号第3677968号、专利号第3709886号、专利号第3736333号、专利号第4096916号、专利号第4100450号、专利号第4111227号、专利号第4177860号、专利号第4185961号、专利号第4185962号、专利号第4185963号、专利号第4353962号、专利号第4354002号、专利号第4570980号、专利号第4590007号、专利号第4590023号、专利号第4612746号、专利号第5017059号、专利号第5125174号、专利号第5125184号、专利号第4878135号、专利号第3544438号、专利号第4570980号、专利号第5017059号、专利号第5595054号、专利号第5710887号、专利号第5612493号

规格

规格
项目内容
SEM 电子源 冷场场发射型
加速电压 0.1 ~ 30 kV
分辨率 2.1 nm@1 kV
1.6 nm@15 kV
FIB 离子源
加速电压 0.5 ~ 30 kV
分辨率 4.0 nm@30 kV
最大束流 100 nA
标准探测器 In-colum二次电子探测器/In-colum背散射电子探测器/
样品室二次电子探测器
样品台 X 0 ~ 20 mm *2
Y 0 ~ 20 mm *2
Z 0 ~ 20 mm *2
θ 0 ~ 360° *2
τ -25 ~ 45° *2
最大样品尺寸 正方形边长6 mm × 厚度2 mm
*2:
根据样品座不同,行程不同

通过电话咨询

日立高新技术(上海)贸易有限公司

生命科学系统本部 先端分析装置部

电话 : 010-65908705

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