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化学与化工
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采用晶圆缺陷坐标进行FIB自动加工及SEM观察

NX2000具有自动识别KRF文件,从而直接调用晶圆中缺陷位点坐标,对样品中的缺陷进行快速定位加工及观察。从而大大提高半导体失效分析的分析效率。
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“自动微加工”系统进行平面TEM样品制备介绍

NX2000的自动微加工功能不仅适用于截面样品加工,也可以对加工样品进行平面切处理。从粗切到最后将样品固定到铜网上全部有设定的程序自动完成。
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3D NAND电子衍射晶体取向分析

通过结合HF5000与旋进电子衍射可以获取3D NAND flash cell结构中多晶硅和金属钨的晶体取向,本示例分析得到的数据中可以准确判定10nm 到50nm 的晶体取向。
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使用场发射电镜观察半导体参杂层

要观察MOS晶体管截面参杂层,如果仅通过FIB制备,无法获取清晰的衬度,结合离子束研磨再加工,则可以看到清晰的参杂层结构。
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SU8200在高加速电压下观察鳍式结构

采用高加速电压观察14纳米SRAM Fin-FET(静态随机存取存储器鳍式场效应晶体管),二次电子图像可以显示表面形貌,背散射图像可以同时观察内部结构。这是一种有效和方便的失效分析技术。
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使用SU8200观察SiC功率器件参杂分布

要观察SiC功率器件截面,如果仅通过FIB制备,无法获取清晰的衬度,结合离子束研磨再加工,则可以看到清晰的参杂层分布。
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使用SU8200和NP6800对先进工艺DRAM进行一致性分析

利用SU8230在低倍下可观察到2Xnm工艺的DRAM有明显的电位衬度,在高倍下可看到该区域为失效位置,且与其它区域有明显衬度区别。结合纳米探测测量I-V曲线测量发现,失效位置的漏电流比正常位置的电流值高一倍。
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采用UVD探头检测阴极荧光

采用UVD探头获得的阴极荧光图像显示出二次电子图像和背散射电子图像没有的不同发光状态的荧光粉衬度,能谱结果表明,亮颗粒中的锰浓度低于暗颗粒中的锰浓度。
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使用SU8200对多层陶瓷电容做EBSD分析

对多层陶瓷电容进行EBSD分析。BSE图像可以呈现出Ni电极BaTiO3陶瓷的明显原子序数和晶体取向衬度,菊池带衬度图显示晶粒直接介于85-750 nm之间. 晶体取向图显示出 BaTiO3晶体取向的随机性。 SU8200可对<100nm的晶粒做晶体取向分析。
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采用SU5000和Gatan3View®2XP对包埋在树脂中的白光LED荧光粉进行三维结构分析

低真空下采用UVD探头采集荧光粉的图像并进行三维重构,颗粒外径的分布可以用柱状图表示,不同粒径的颗粒用不同颜色显示
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采用可变压力探测器(UVD)观察白色LED的荧光粉

采用背散射探测器和UVD探测器在同一个位置获得图像,背散射电子图像能够区分不同元素成分的颗粒,而UVD获得的阴极荧光图像能够区别出荧光粉颗粒,观察到荧光粉颗粒的分布。
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扫描电镜SU3500+XRF微区分析在LED行业的应用

利用扫描电镜上的XRF微区分析功能对LED芯片进行分析,在微区XRF面分布图中清晰可见封装介质中的荧光物质(Sr,Y)和700um深度处的LED(Ga)、银电极的分布。
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使用ArBlade5000对电路板作大面积截面研磨

对印刷电路板经过5个小时研磨后,可获得6.5mm的超宽截面,通过背散射成像和能谱面分布,可获得电极和焊接位置清晰的形貌和元素分布。
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使用场发射电镜观察半导体器件电位衬度

场发射电镜观察SRAM(静态随机存储器)的接触窗插塞表面,在低加速电压下,由于下层结构中不同插塞的表面电势差异,造成二次电子产额不同,从而可以很好区分PMOS,NMOS和栅极。
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使用场发射电镜对3D NAND闪存截面进行高分辨观察

3D NAND闪存截面经过离子研磨处理,通过高分辨场发射电镜观察,存储单元中的每一叠层(SiN, 多晶硅 和 SiO层)清晰可见。
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使用Regulus8200对3D NAND闪存平面作高分辨观察

经过离子束研磨系统对3D NAND闪存作平面研磨后,采用Regulus8200可以观察到有序排列的存储单元,并且可以清楚的区分同心堆栈层(SiN, Poly-Si 和 SiO 层)
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高真空下采用可变压力探测器(UVD)检测阴极发光

使用可变压力探测器(UVD,低真空二次电子探测器)在高真空下可以清晰地观察到氮化镓中晶体位错的阴极发光(CL)图像。 除了在低真空下进行二次电子成像外,UVD探测器还可以在高真空下获得高信噪比,高分辨的CL图像。
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陶瓷电容器的大面积研磨和观察

陶瓷电容器的大面积横截面是通过离子研磨制备的。 在SEM-EDX上自动获取54组SEM图像和8.7 mm x 1.2 mm横截面的EDX mapping结果。 在放大的图像和mapping图中清楚地标识了每层成分(Ag,Ni,Sn)。
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电路板的大面积观察

电子电路板上的54张图像自动在SEM上捕获,并无缝拼接以形成合成图像。 平铺功能利用每个图像的平台坐标来确保高精度的多图像平铺。
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显微镜头的大面积三维成像

使用3D可视化软件Hitachi Map 3D从多个3D图像生成了微透镜的广域3D图像。 除了以不同颜色显示高度信息的地形图,还可以在提取的横截面轮廓上测量每个镜头的上下距离的水平距离,垂直高度和角度。
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扫描电镜与原子力显微镜联用观察多层陶瓷电容器

扫描电镜和原子力显微镜联用观察多层陶瓷电容截面,通过EBIC施加电压,可观察到正极偏暗,负极偏亮,陶瓷层亮度则呈现梯度变化,结合开尔文力显微镜对同一区域成像发现,不同电极明暗不同,且电势呈梯度变化。
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使用TKD方法测量3D NAND闪存的晶体取向

通过TKD方法以更高的空间分辨率确定了FIB制备的超薄3D NAND闪存的晶体取向。 能带对比图和相图显示了圆形存储单元和周围钨中多晶硅的晶粒的形状和大小。钨晶粒范围为10nm至50nm。
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蓝色发光二极管的横截面观察

蓝色发光二极管(LED)的横截面经离子研磨处理后,用扫描电子显微镜(SEM)观察。将BSE图像与UVD-CL图像相结合,局部的发光现象可以很容易的观察到。
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采用场发射扫描电镜获得7纳米器件的电位衬度图像

采用低加速电压(300 V)下观察7 纳米SRAM器件。 不同的底层结构(PMOS / NMOS / Gate)会引起表面电势的不同,进而带来表面二次电子产额的细微差异。通过二次电子图像的电位衬度可以辨别不同的结构。
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场发射电镜观察硬盘

使用高分辨场发射观察MR磁头,多层结构包括在写磁头中的4.2nm金属层,读取单元中3.3nm绝缘层,类金刚石保护层中的缺陷都可被清晰观察。在3.5英寸磁盘上磁粉的形貌和尺寸即使在1,000,000x下也可无损检测。
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对电子线路板上多点进行连续截面离子研磨加工

ArBlade5000离子研磨仪的一项新功能,是允许设置多种研磨条件并执行顺序加工。多点加工位置可在ArBlade5000允许范围(10mm)内广泛选择。这有利于对不均匀材质样品针对性设置加工条件,避免因电压,加工时间等条件造成的样品损伤。且对指定的最佳位置进行加工,大大缩短的工作时间。
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使用场发射扫描电镜观察高容量硬盘

最新技术的硬盘需要对读/写磁头,介质盘等项目作评估,而随着硬盘结构的日益精细,电镜的高分辨成像性能成为必须。可对硬盘读/写磁头结构,介质盘表面的小于50nm的磁粉进行清晰成像。
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利用HT7830高分辨观察Si的(100)晶面

利用HT7830的高分辨模式观察Si(100)晶面的晶格像,其晶面间距是0.19nm。
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利用120kV透射电镜观察3D NAND闪存的平面结构

利用HT7830观察3D NAND闪存的平面多层结构,可以看到环形的存储结构,每一层的硅的不同化合物和硅的晶格像也清晰可见。
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HT7820的高分辨观察和高反差观察应用举例

HT7820具有高分辨和高反差两种观察模式,既可以实现高分辨晶格像的观察(Si单晶),也可以实现低衬度样品的高反差观察(高抗冲聚苯乙烯)。
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3D NAND闪存平面TEM观察及EDX分析

通过TEM很难判定3D NAND falsh memory cell结构在成份上的分布,结合HF5000的能谱系统可以快速准确得到面分布能谱数据,并且能够区分层厚只有几纳米的层。
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利用120kV透射电镜的空心锥暗场像分析3D NAND结构

利用120kV透射电镜的明场像可以观察3D NAND的环形结构,利用空心锥暗场像可以观察钨栅极和多晶硅,利用电子衍射可以观察晶体结构。
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利用120kV透射电镜观察3D NAND闪存的平面结构

利用120kV透射电镜观察3D NAND闪存的平面多层结构,可以看到环形的存储结构,每一层的硅的不同化合物也清晰可见。
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利用120kV透射电镜观察14nm FinFET结构

利用FIB对14nm的FinFET制样得到了20nm的薄片,通过120kV透射电镜观察可以看到栅极氧化层和Si(111)的0.314nm晶格像。
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利用120kV透射电镜观察3D NAND闪存的截面结构

利用120kV透射电镜观察3D NAND闪存的截面多层结构,可以看到多层重复结构,硅的单晶结构也清晰可见。
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使用SNDM观察SiC电源器件截面上的掺杂分布

目前,半导体器件的掺杂分布主要通过扫描扩散电阻显微(SSRM)和扫描电容显微(SCM)来获得。本文使用最新的非线性介电常数显微(SNDM)观测SiC半导体电源器件截面的掺杂面分部。
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高真空导电原子力观察有机半导体薄膜

避免观测时样品表面水膜、湿度和表面样品等问题的影响是高真空原子力的主要优势之一。本文展示了在10-4Pa的高真空环境中,有机半导体(P3HT)和导电高分子(PEDOT)复合薄膜的导电原子力观察。
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SU9000+EELS对半导体器件的元素分布进行分析

电子能量损失谱(EELS)可用于材料中轻元素分析,它被广泛使用在TEM和STEM中。SU9000匹配EELS系统对于轻元素材料,同样可以提供高分辨率的分析结果。 我们预计该系统在将来会用作分析尖端材料和半导体器件。
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SU9000分析化合物半导体的高空间分辨率的EDX分析

化合物半导体的多量子阱结构中阱层和势垒层厚度评估非常重要。SU9000观察FIB制样的InGaAs/InAlAs的多量子阱的尺寸,甚至于1nm的厚度也可以观察到并用EDX mapping分析得到。
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使用FE-SEM SU9000对晶格像进行高精度测量

SRAM器件用NX2000 FIB制样,观察Si(111)晶向的SRAM器件样品。通过在512x512像素内,傅里叶变换,斑点衍射,反傅里叶变化方法,可以测出其单像素为0.01688nm,晶格间距3.14nm一共是186像素,所以可以通过这个方法精确测量。
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低压-SEM和STEM表征核-壳纳米线

半导体纳米线具有可调性,因此是未来电气和光学设备的有前途的材料之一物理性质,尤其是具有异质结构或核-壳结构的纳米线使我们能够结合所需的两种或多种不同材料的特性。使用SU900观察SE,BF-STEM,DF-STEM图像。
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14 nm FinFET的低加速电压STEM观察和EDX分析

14nm的FinFET用FIB(NX5000)制样获得10nm厚度的样品,观察BF-STEM可以看到1.5nmHfO2,SiO2,和3nm的TiN层。DF-STEM及元素分析,可以得到高空间分辨率的元素分布图。
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DRAM电容器的高分辨率平面图观察和EDX分析

使用Arblade 5000对DRAM样品进行清洗及表面浮雕制备,SU9000观察可以看到内部多层同心圆环,厚度约为6nm。再对其进行元素分析,得到同心多层结构为SiGe,TiN和ZrO2。
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SEM和SNDM同视野观察半导体掺杂的面分部情况

我们使用SEM和非线性介电常数显微(SNDM)观察了外延掺杂的MOSFET样品截面的掺杂浓度阶梯分布。SEM可以简单的通过电位衬度简单快速的观察掺杂分布;而SNDM有更高的精确度,可以观察到最低1013/cm3~1014/cm3的掺杂浓度。
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SEM-AFM联用观察硅太阳能电池的PN结截面电学性能分布

使用SEM-AFM联用系统,在同视野中观察硅太阳能电池的PN结截面的SE图像、EBIC和SSRM面分布。
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SiC-金刚石复合物界面FIB加工及观察

宽带隙的半导体材料,像SiC和金刚石具有绝缘击穿强度高和高的热导性,被广泛的应用在新一代的功率器件材料上;通过NX5000对SiCk-金刚石复合物的界面进行定点处理,并结合日立的透射电镜可以有效地获取样品界面的结构衬度及成分信息。
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半导体器件透射样品加工及TEM观察

NX5000配备有氩离子枪,通过Ar离子的低压处理可以有效地减少样品的损伤和离子注入,从而得到真实的样品结构信息;本示例展示了5kV处理后和1kV Ar离子处理后的结果对比,可以发现5kV处理后Si区域有明显的损伤和离子注入效应而1kV Ar离子处理的Si区域很干净,晶格衬度很清晰。
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利用三束系统制备氮基半导体TEM样品

本示例展示了利用NX2000的三束系统制备的InGaN/GaN多量子阱TEM样品,经过0.5kV Ar离子处理过后,样品损伤层减少,InGaN/GaN样品的衬度均一清晰可见。
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利用氙离子加工氮基半导体TEM样品

本示例展示了利用NX2000加工处理得到了GaN和InGaN/GaN的TEM样品,经过1kV的Xe最终处理样品InGaN/GaN层与层衬度清晰均一,并未看到FIB加工引起的损伤衬度。
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硅及半导体FINFET的低损伤TEM样品制备-NX2000

本示例展示了利用NX2000制备了22nm节点的FinFET的截面TEM样品,经过Ar离子处理过后样品各个元器件清晰可见,损伤得到了有效消除。
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NX2000观测SiC半导体中的掺杂衬度

本实例展示了采用NX2000制备了掺杂的SiC半导体TEM样品,通过Ar离子处理可以有效减少FIB加工引起的损伤,提高掺杂衬度的表征。
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SiC-MOSFET半导体器件的EDX分析

本示例中NX2000配备了EDAX的Octane Super能谱装置,NX2000加工得到的样品可以直接采用此能谱进行元素表征。示例中的SiC-MOSFET的能谱结果可以充分反应该样品的结构及元素分布。
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离子研磨仪ArBlade5000在电子元器件中的应用

电子产品由于在生产过程中要求精密,生产工序环环相扣,因此对每道工序的生产质量必须层层把关。离子研磨仪作为重要的样品前处理设备,在电子元器件的生产过程中发挥了重要作用。
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分析仪器·电子显微镜·原子力显微镜:400-898-1021

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生化分析仪:010-65908700

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