平素より日立ハイテクニュースレターをご覧頂き有難うございます。
今回はJFC（日本ファインセラミックス）殿で開発検討中のコンキャビティサブマウント（仮称）のご案内致します。
主な用途は通信用Laser Diodeのサブマウントでキャビティ深さ 0.1mmの底・側面にAuSnの半田蒸着を施す構想で、一般的なLaser Diodeの厚みは凡そ0.1mmですので、高周波RF用回路とLaser DiodeのWire Bond面と高さを合わせ、最短のAuワイヤ長でのボンディングを可能とし、抵抗・インピューダンスの特性改善によりLaserのパフォーマンス向上に貢献する事を狙っております。
開発検討品、コンキャビティサブマウント（仮称）参考グラフィック
まだ開発検討段階ですので、詳細に付きましては弊社営業担当までお問い合わせください。
何卒宜しくお願い致します。
株式会社日立ハイテク
ビジネスインテグレーション本部
オプトコミュニケーション部