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Hitachi

電子顕微鏡・医用機器・ライフサイエンス製品日立ハイテクノロジーズ

第3回 AFM&CSIソリューションセミナー(東京)
~ AFM&CSIによるナノ3D計測技術とSNDMドーパント計測の新たな展開 ~

TKP新橋カンファレンスセンターにて、走査型プローブ顕微鏡(AFM)&走査型光干渉顕微鏡(CSI)によるナノ3D計測ソリューション、および走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)によるドーパント解析ソリューションをテーマに、セミナーを開催いたします。
それぞれの分野の第一人者である、東京都立産業技術高等専門学校 深津教授、東北大学 長教授をお招きし、最新の技術情報についてご紹介いただきます。さらにナノ粒子計測ノウハウ、最新のAFM技術やアプリケーションについてもご紹介させていただきます。
なお、ポスターセッション会場を併設し、気軽に外部講師の先生方や弊社スタッフとのディスカッションを行う機会を設けております。
奮ってご参加賜りますようご案内申し上げます。

開催概要

開催日

2018年10月19日(金)

開催時間

13:00~18:30(受付開始 12:30~)

会場案内

東京都港区西新橋1丁目15-1
大手町建物田村町ビル
TKP新橋カンファレンスセンター ホール2A

参加費

無料

定員

120名
* 原則として、先着順とさせていただきます。

お申し込み

問い合わせ先

  • 株式会社日立ハイテクノロジーズ
  • コミュニケーション戦略グループ
  • 担当:野村
  • TEL:050-3139-4299
  • E-mail:em-1.aj@hitachi-hightech.com

プログラム

時間 テーマ/内容
13:00~13:05 開会の挨拶
13:05~13:45

【基調講演】三次元表面性状に関する規格と表面性状の非接触測定

2018年3月にISO 25178-2を基にした、三次元の用語、定義及び表面性状パラメータに関する規格JIS B 0681-2が発行された。これによりJISにおける三次元表面性状パラメータが使用できることになった。
本講演では前半にJIS B 0681-2の三次元表面性状測定に関する考え方を述べ、後半に2014年に発行されたJIS B 0681-6(測定方法の分類)の要旨と表面性状測定に使用される非接触測定法の原理と特徴について述べる。

東京都立産業技術高等専門学校
教授 深津 拡也
13:45~14:15

AFM&CSIによるナノ3D計測ソリューション【CSI新モデル】ご紹介

自動化機能、広域高精度スキャナを搭載したナノ3Dプローブ計測システム「AFM5500M」と広域・高速・高精度測定に加え高傾斜面測定機能を搭載したナノ3D光干渉計測システム「VS1000シリーズ」について、 装置の特長を活かした相補的な活用事例を紹介します。また、様々なサンプルへのフレキシブルな対応を強化した「VS1000 シリーズ 新モデル」について紹介いたします。

(株)日立ハイテクノロジーズ
アプリケーション開発部
柳川 香織
14:15~14:45

SEM+AFMリンケージによるナノ粒子計測

微粒子の3次元形状をAFM(原子間力顕微鏡)で計測する場合、孤立分散状態が実現できるのが理想的である。表面修飾基板キットを用いると、複数の表面修飾による相互作用が期待され、種々の微粒子に適応できる。AFM計測では、計測場所を特定するための予備計測が律速になる場合がある。SEM(走査型電子顕微鏡)で迅速に計測場所を決め、SEMとAFMでリンケージ計測して相補的な情報を得ることは、重要な計測手法となると期待される。これらの手法についての応用例を紹介する。

(株)日立製作所
研究開発グループ
橋詰 富博
14:45~15:05

SEM/AFM相関顕微鏡手法(SÆMic.)による材料解析ソリューションのご紹介

SEMによる形状観察・組成・元素分析等と、AFMによる3D形状計測・電磁気物性・機械物性を同一箇所で測定し、それぞれのデータの相関評価を行うSEM/AFM相関顕微鏡手法(SÆMic.)を使用した座標リンケージによる電極腐食部位の分析や雰囲気遮断ホルダーによるイオンミリング加工後のLiイオン電池の分析などの事例をご紹介いたします。

(株)日立ハイテクノロジーズ
アプリケーション開発部
伊與木 誠人
15:05~15:20 コーヒーブレイク
15:20~16:20

【基調講演】走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)による半導体素子及び材料の高分解能評価

走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)は10-22Fという極微小な静電容量変化に対して検出感度があるため,pnの区別が容易で,低濃度から高濃度までの非常に広い範囲でドーパント分布を検出できる.Siに比べて信号強度の弱い化合物半導体のドーパントも高SN で計測可能である。またdC/dV 計測で問題となる2 価関数性(コントラストリバーサル)も回避することができる.これらの特長は全てSNDMの群を抜いた高感度特性からきている.本講演ではSNDMによる半導体評価技術とその応用計測例について紹介する。

東北大学
教授 長 康雄
16:20~16:50

特定箇所におけるキャリア分布観察技術の開発と展開

SNDMやSCMといった容量顕微鏡では、FIB加工された試料の観察は困難であるとされていました。弊社はFIB加工試料に酸化処理を行うことでSNDM測定が可能になることを突き止めました。この成功の背景には東芝で培ったSPM(SSRM)技術があります。今回は東芝がこれまで関与したSPM関連技術と、FIB加工試料のSNDM事例をご紹介いたします。

東芝情報システム(株)
太田 和男
16:50~17:20

SNDMキャリア分布計測機能の拡張~dC/dV(極性)とdC/dz(濃度)の同時測定

弊社ではこれまで環境制御型の高感度SNDM(HS-SNDMⅡ)を製品化しており、1014レベルの低濃度観察はじめ吸着水影響のない高真空中SNDM技術を展開してきました。今回、不純物キャリアのdC/dV(極性)とdC/dz(濃度)を1回のスキャンで同時計測する手法を開発し、不純物濃度標準試料やパワーデバイス等へ適用した事例を紹介します。また、FIB前処理による高真空中SSRMキャリア分布観察の試みについても紹介します。

(株)日立ハイテクノロジーズ
アプリケーション開発部
山岡 武博
会場移動
17:20~18:30

ポスターセッション

講演内容のポスターセッションを実施します。
各講演者への質疑応答も個別で行えますので是非ご参加ください。
  • * 演題、講演時間などにつきましては、予告なく変更することがあります。
    あらかじめご了承ください。