NP6800は、10 nm以降のデバイス解析も対象にした、SEMベースのナノ・プロービング専用機です。
高精度ピエゾ・アクチュエータをXYZの3軸に搭載し、探針を高精度に制御し実回路上に接触させ、単一素子のMOSトランジスタ特性の測定が可能です。
その製品コンセプトは、光学式メカニカル・プローバの使い勝手をSEM真空環境下で実現することにあり、その探針操作は直感的で真空を使っていることを感じさせないよう設計されたプロービングシステムです。
価格：お問い合わせください
取扱会社：株式会社 日立ハイテク
14 nmデバイスへのプロービング時のリアルタイムSEM像（加速電圧0.5 kV）
プロービングのイメージ
上部より観察可能なCCDカメラ
真横より観察可能なCCDカメラ
| 項目 | 内容 | |
|---|---|---|
| プローブユニット | ユニット数（探針数） | 8 |
| 駆動方式 | ピエゾ素子使用 | |
| 微動範囲 | 5 µm（X、Y軸） | |
| 粗動範囲 | 3 mm（X軸）、5 mm（Y軸） | |
| 試料ステージ/ ベースステージ | 試料サイズ | 15 mm×15 mm、厚1 mm以下 |
| 移動ポジション |
測定位置、試料交換位置、探針交換位置 |
|
|
試料交換/探針交換 |
予備排気室付き | |
| プローバ ナビゲーション |
プローブ位置へのステージ移動 | |
| 測定位置記憶 | ||
| 探針粗調整 | CCD像表示機能 |
横方向/上方向からの観察像表示 |
| 電子光学系 | 電子銃 |
冷陰極電界放出形電子銃 |
| 加速電圧 | 0.5～30kV | |
| イメージシフト |
±75 µm以上（1.0 kV、WD＝5 mm） |
|
| EBACアンプ/ 画像表示 | アンプ種 |
Currentアンプ/Differentialアンプ |
| 画像表示 | SEM像/EBAC像 | |
| 単独/並列/重ね合わせ表示 | ||
| 画像処理 |
白黒反転表示、カラー表示機能、明るさ調整、スロースキャン積算、ベルトスキャン |
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| 大きさ･重さ | 本体 |
1,190（W）×1,377（D）×1,800（H）（mm） |
|
990 kg |
||
| ディスプレイ | 1,000（W）×1,004（D）×1,200（H）（mm） | |
|
265 kg |
||
|
EBACユニット |
600（W）×1,000（D）×1,760（H）（mm） |
|
|
150 kg |
||
|
デバイス測定対応実績 |
7 nmデバイスの電気特性評価済み |
|
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 室温 | 15～25℃ |
| 湿度 | 60％以下 |
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 電源 | AC100 V±10％、5 kVA（M5用圧着端子） |
| 接地 | D種接地（100Ω以下） |
14 nm デバイスのIds-Vgs特性評価結果
SNM評価時のSEM像
SNM測定結果
8プローブによるStatic Noise Margin 評価結果
トランジスタの温度依存性評価結果
単体トランジスタのゲートへパルス入力し得たトランジスタの出力特性
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