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Hitachi

電子顕微鏡・医用機器・ライフサイエンス製品日立ハイテクノロジーズ

微小デバイス特性評価装置ナノ・プローバ® NP6800

微小デバイス特性評価装置ナノ・プローバ® NP6800

NP6800は、10 nm以降のデバイス解析も対象にした、SEMベースのナノ・プロービング専用機です。
高精度ピエゾ・アクチュエータをXYZの3軸に搭載し、探針を高精度に制御し実回路上に接触させ、単一素子のMOSトランジスタ特性の測定が可能です。
その製品コンセプトは、光学式メカニカル・プローバの使い勝手をSEM真空環境下で実現することにあり、その探針操作は直感的で真空を使っていることを感じさせないよう設計されたプロービングシステムです。

価格:お問い合わせください

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

    概要

    • 新形コールドFE電子銃により高輝度で長時間安定した観察
    • ±75 µmの視野移動(イメージ・シフト)量
    • 8探針対応
    • 温度依存特性評価用の高低温ステージ
    • 探針粗寄せ用の上・横CCDカメラ
    • 探針から独立して駆動できる試料サブ・ステージ
    • 専用探針交換室
    • EBAC(電子線吸収電流像測定)機能
    • DI-EBAC(電圧印加型EBAC機能)(特注対応)
    • パルス評価機能(特注対応)

    14 nmデバイスへのプロービング時のリアルタイムSEM像(加速電圧0.5 kV)
    14 nmデバイスへのプロービング時のリアルタイムSEM像(加速電圧0.5 kV)

    プロービングのイメージ
    プロービングのイメージ

    特長

    プローバの位置制御やSEM観察をコントロール可能な集約されたGUI

    プローバの位置制御やSEM観察をコントロール可能な集約されたGUI

    プローブの粗調整用CCDカメラ

    上部より観察可能なCCDカメラ
    上部より観察可能なCCDカメラ

    真横より観察可能なCCDカメラ
    真横より観察可能なCCDカメラ

    20 kVで観察した複数配線層のEBACイメージ

    20 kVで観察した複数配線層のEBACイメージ

    プローブやサンプル観察用の低加速、高分解能リアルタイムSEM像

    プローブやサンプル観察用の低加速、高分解能リアルタイムSEM像

    仕様

    項目内容
    プローブユニットユニット数(探針数) 8
    駆動方式 ピエゾ素子使用
    微動範囲 5 µm(X、Y軸)
    粗動範囲 3 mm(X軸)、5 mm(Y軸)
    試料ステージ/
    ベースステージ
    試料サイズ 15 mm×15 mm、厚1 mm以下
    移動ポジション

    測定位置、試料交換位置、探針交換位置

    試料交換/探針交換

    予備排気室付き
    プローバ
    ナビゲーション
    プローブ位置へのステージ移動
    測定位置記憶
    探針粗調整CCD像表示機能

    横方向/上方向からの観察像表示

    電子光学系電子銃

    冷陰極電界放出形電子銃

    加速電圧 0.5~30kV
    イメージシフト

    ±75 µm以上(1.0 kV、WD=5 mm)

    EBACアンプ/
    画像表示
    アンプ種

    Currentアンプ/Differentialアンプ

    画像表示 SEM像/EBAC像
    単独/並列/重ね合わせ表示
    画像処理

    白黒反転表示、カラー表示機能、明るさ調整、スロースキャン積算、ベルトスキャン

    大きさ・重さ本体

    1,190(W)×1,377(D)×1,800(H)(mm)

    990 kg

    ディスプレイ 1,000(W)×1,004(D)×1,200(H)(mm)

    265 kg

    EBACユニット

    600(W)×1,000(D)×1,760(H)(mm)

    150 kg

    デバイス測定対応実績

    7 nmデバイスの電気特性評価済み

    設置環境

    項目内容
    室温 15~25℃
    湿度 60%以下
    項目内容
    電源 AC100 V±10%、5 kVA(M5用圧着端子)
    接地 D種接地(100Ω以下)

    測定例

    トランジスタ評価例

    14 nm デバイスのIds-Vgs特性評価結果
    14 nm デバイスのIds-Vgs特性評価結果

    SNM評価時のSEM像
    SNM評価時のSEM像

    SNM測定結果
    SNM測定結果

    8プローブによるStatic Noise Margin 評価結果

    温度依存特性評価例

    トランジスタの温度依存性評価結果
    トランジスタの温度依存性評価結果

    パルス評価例(特注機能)

    単体トランジスタのゲートへパルス入力し得たトランジスタの出力特性
    単体トランジスタのゲートへパルス入力し得たトランジスタの出力特性

    差動アンプを用いたVia Chain高抵抗不良箇所の特定

    差動アンプを用いたVia Chain高抵抗不良箇所の特定

    Dynamic Induced EBAC(電圧印加型EBAC)によるゲートリーク箇所の特定(特注対応)

    Dynamic Induced EBAC(電圧印加型EBAC)によるゲートリーク箇所の特定(特注対応)