1993年度作品「電顕内で作ったSiC結晶」
グラファイトとSiの混合粉体を1,500℃に加熱し、Siとグラファイトを反応させ、SiCの結晶を成長させた。 写真は、その反応の観察例である。左が反応前、右が反応後、1,500℃で撮影した透過像である。 グラファイト（002）面（d ＝ 0.335 nm）上にSiC（006）面（d ＝ 0.252 nm）が成長している。
1993年（第49回）日本電子顕微鏡学会
写真コンクール 出展作品
撮影条件
- 試料：グラファイトとSiの混合粉体
- 測定装置：電子顕微鏡 H-9000NAR
- 撮影倍率：300,000倍
- 加速電圧：300 kV
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*: この作品は日本顕微鏡学会主催、「写真コンクール」に出展された作品です。
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