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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

イオンミリング装置 ArBlade® 5000

日立イオンミリング装置の最上位機種。
ついにクラス最速の断面ミリングレート を達成しました。
高スループット断面ミリングによって、電子顕微鏡用の断面試料作製がさらに身近になりました。

価格:お問い合わせください
取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

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ArBlade®は、日本国内における株式会社日立ハイテクノロジーズの登録商標です。

特長

断面ミリングレート 1 mm/h*1到達!

イオンビームのさらなる高電流密度化を図った新開発のPLUSIIイオンガンによりミリングレートが大幅に向上*2しました。

*1
マスクエッジからSiを100 μm突出させて1時間加工した際の最大深さ
*2
当社製品(IM4000PLUS:2014製)比で2倍のミリングレートを実現

断面ミリング結果比較
(試料:シャープペンシルの芯、ミリング時間:1.5時間)

当社製品IM4000PLUS
当社製品IM4000PLUS

ArBlade 5000
ArBlade 5000

最大断面ミリング幅 8 mmまで拡張!

ワイドエリア断面ミリングホルダにより断面ミリング加工幅を8 mmまで拡張できるので、広領域ミリングが必要とされる電子部品などには有効です。

ハイブリッドタイプのミリング装置

IM4000シリーズで定評のあるハイブリッドタイプ(断面ミリング、フラットミリング®)のイオンミリング装置です。
これにより目的に応じた試料前処理が可能です。

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フラットミリング®は、日本国内における株式会社日立ハイテクノロジーズの登録商標です。

断面ミリング

割断や機械研磨では困難な柔らかい材料や複合材料の断面作製

フラットミリング

機械研磨試料の最終仕上げや試料表面の清浄化

断面ミリング概略図
断面ミリング概略図

フラットミリング概略図
フラットミリング概略図

 

仕様

仕様
共通
使用ガス Ar(アルゴン)ガス
加速電圧 0~8 kV
断面ミリング
最大ミリングレート(材料Si) 1 mm/hr*1 以上
最大ミリング幅 8 mm*2
最大試料サイズ 20(W) × 12(D) × 7(H) mm
試料移動範囲 X ±7 mm、Y 0~+3 mm
イオンビーム間欠照射機能 標準装備
スイング角度 ±15°、±30°、±40°
平面ミリング
最大加工範囲 φ32 mm
最大試料サイズ φ50 × 25(H) mm
試料移動範囲 X 0~+5 mm
イオンビーム間欠照射機能 標準装備
回転速度 1 r/m、25 r/m
傾斜角度 0~90°
*1
マスクエッジからSiを100 µm突出させて1時間加工した際の最大深さ
*2
ワイドエリア断面ミリングホルダ使用時

オプション

仕様
項目内容
高ビーム耐性マスク(Co-Zero®)*3 標準マスク比で約2倍のビーム耐性マスク(コバルト不含有)
加工モニタリング用顕微鏡 倍率 15×~100× 2眼タイプ、3眼タイプ(CCD対応)
*3
Co-Zero®は日本国内における株式会社 日立ハイテクノロジーズの登録商標です

技術機関誌 SI NEWS

弊社製品を使用した社内外の研究論文、技術情報、アプリケーションおよび新製品情報を公開しています。

 
 

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