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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

究極のTEM試料作製ツールをめざして

最先端デバイスや高機能ナノ材料の評価・解析において、FIB-SEMはなくてはならないツールとなっています。
近年では、対象構造の微細化に伴い、より薄く、試料加工時のアーティファクトを避けた、TEM薄膜試料作製へのニーズが高まっています。
日立ハイテクでは、定評ある高性能FIB技術と高分解能SEM技術に、姿勢制御とトリプルビーム®*1(オプション)を組み合わせたNX2000を開発しました。

価格:お問い合わせください

取扱会社:株式会社 日立ハイテクノロジーズ

特長

高コントラスト・リアルタイムSEM加工終点検知により、20 nm以下の超薄膜試料作製にも対応





FIB加工中のリアルタイムSEM観察*2
試料:NANDフラッシュメモリ
加速電圧:1 kV
FOV:0.6 µm

姿勢制御技術(マイクロサンプリング®*3システム(オプション)+高精度・高速試料微動機構)が、カーテン効果の抑制や均一な厚さの薄膜試料作製に寄与します


姿勢制御時


通常加工時

トリプルビーム®*1システム(オプション)が、FIB加工ダメージ除去のスキルレス化・高スループット化を推進します

EB:Electron Beam(電子ビーム)
FIB:Focused Ion Beam(集束イオンビーム)
Ar:Ar ion beam(Arイオンビーム)

*1
:FIB、Ar/Xeビーム、SEM複合装置「トリプルビーム®」は、日立特許により保護されています(特許第4309711号、 特許第4365438号、特許第4878135号、特許第4995802号など)。また、「トリプルビーム®」は、株式会社 日立ハイテクサイエンスの日本国内における登録商標です(商標登録第5136729号)。
*2
:FIB加工中のリアルタイムSEM観察機能は、日立特許により保護されています(特許第3354846号、 特許第3544438号、特許第3597761号、特許第3897271号など)。
*3
:TEM試料作製装置「マイクロサンプリング®」は、日立特許により保護されています(特許第3547143号、 特許第3613039号、特許第3624721号、特許第3677968号、特許第3709886号、特許第3736333号、 特許第4096916号、特許第4100450号、特許第4111227号、特許第4177860号、特許第4185961号、 特許第4185962号、特許第4185963号、特許第4353962号、特許第4354002号、特許第4570980号、 特許第4590007号、特許第4590023号、特許第4612746号、特許第5017059号、特許第5125174号、 特許第5125184号など)。また、「マイクロサンプリング®」は、株式会社日立製作所の日本国内における登録 商標です(商標登録第4399203号、商標登録第4401176号)。

この特許の記載内容は2014年7月現在のものです。特許の状況は審判等により変動する可能性があります。

仕様

項目内容
FIBカラム
分解能 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速電圧 0.5~30 kV
ビーム電流 0.05 pA ~ 100 nA
FE-SEMカラム
分解能 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
加速電圧 0.5~30 kV
電子銃 冷陰極電界放出型
検出器
標準検出器 In-lens SE検出器/チャンバーSE検出器/反射電子検出器
ステージ X:0 ~ 205 mm
Y:0 ~ 205 mm
Z:0 ~ 10 mm
R:0 ~ 360°エンドレス
T:-5 ~ 60°

特別付属品(オプション)

  • Ar/Xeイオンビームシステム
  • マイクロサンプリング®*3システム
  • 欠陥検査装置とのリンケージソフトウェア
  • CADナビゲーションリンケージソフトウェア
  • EDS(エネルギー分散型X線分析装置)
  • TEM試料仕上加工ウィザード
  • TEM試料厚み管理ソフトウェア
  • 連続A-TEM
  • リアルタイム画質改善システム
  • Swing加工機能(トリプルビーム®*1用)
  • プラズマクリーナー
  • 大気遮断搬送機構
  • 冷却ステージ