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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

ナノアート

桜花清流

©日立計測エンジニアリング(株) 矢口紀恵、川崎清美
©(株)日立製作所 計測器事業部 宮本卓治
©(株)日立製作所 機械研究所 三浦英生

Si単結晶上のアモルファスSiO2に堆積させたSiを部分的に結晶化させたもの。
基板のSi単結晶は、清流、結晶化したSiは、その清流に浮かぶ花びらを想像させる。電子顕微鏡が表現する日本の美の極致である。

1994年(第50回)日本電子顕微鏡学会
写真コンクール 入賞作品

撮影条件

  • 試料:p-doped Si/SiO2/Si
  • 測定装置:電子顕微鏡 H-9000NAR
  • 撮影倍率:2,500倍
  • 加速電圧:300 kV
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: 作成者の所属情報は作成当時の情報です。
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: この作品は日本顕微鏡学会主催、「写真コンクール」に出展された作品です。
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