高性能集束イオンビーム装置 MI4050

新型光学系搭載により、世界最高水準のSIM像分解能・大電流対応による加工スピードの向上・低加速電圧観察時の分解能向上によるさらに高品位なTEM試料作製を実現した、高性能集束イオンビーム（FIB)装置です。
断面加工観察、高品位TEM試料作製、回路修正、ベクタースキャン加工、ミクロン～ナノスケールの微細パターニングやナノ金型加工、デポジションによる3次元構造物の作製など、多種多様なサンプルとアプリケーションを実現します。

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取扱会社：株式会社日立ハイテク

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特長仕様特別付属品（オプション）

特長

最大プローブ電流90nAにより加工の高速化と大面積加工を実現

ワイヤーボンディングの断面加工
(加工サイズ　幅：95µm　深さ：55µm、加工時間　20min)

極低加速電圧（0.5kV～）加工および低加速電圧時の二次電子像分解能向上により、更なる低ダメージTEM試料作製が可能

* 1kV以下はオプション

二次電子像分解能4nm＠30kVによる高分解能SIM像観察が可能

アルミ缶の断面SIM像

高精度5軸電動メカニカルユーセントリックステージ採用

ステージ移動（含むチルト）を伴う複数箇所の多様な加工が自動運転で可能です。

優れた操作性と豊富な加工モード

断面作製プログラム加工
TEM/STEM試料プログラム加工
連続自動加工
連続TEM試料自動仕上げ加工ソフトウェア
ビットマップ加工
ベクタースキャン加工
3Dナノ精度構造物作製　その他

SIM像の3D再構築解析

等間隔のスライス断面加工と観察を繰り返し、複数枚の断面SIM像を取得し3D再構築することが可能です。複合粒子の分散状態や空孔などの3次元情報を可視化する場合などに有効です。

マルチガス供給システム（MGS-II）を用いた回路修正

保護膜材料、配線材料、絶縁膜、増速エッチングなどさまざまな用途に合わせて、複数のガスを照射できるシステムです。

タングステンデポジションガス
プラチナデポジションガス
絶縁膜生成用デポジションガス
弗化キセノンエッチングガス
有機系エッチングガス
カーボンデポジションガス

XeF₂ガスを用いたハイアスペクトホール加工
およびタングステンデポジションによるパッド出し

豊富な座標リンケージ機能

日立ハイテクサイエンス独自の豊富な座標リンケージ機能により、正確な加工位置決定と大幅時間短縮が図れます。

光学顕微鏡像とSIM像のリンケージ
ダブルカーソル機能日本特許第4634134号
米国特許第7595488号
欠陥検査装置との座標リンケージ
割断されたウエーハやチップでも欠陥検査装置との座標リンケージが可能です。
CADナビゲーションシステムとのリンケージ

仕様

項目	内容
試料サイズ	50mm×50mm×12mm（t）以下
試料ステージ	5軸電動ユーセントリックステージ
加速電圧	1～30kV　（0.5kV～　オプション）（0.5～1.0kV ： 0.1kVステップで変更可能）（1.0～2.0kV ： 0.2kVステップで変更可能）
二次電子観察像分解能	4nm＠30kV
最大プローブ電流	90nA
最大プローブ電流密度	50A/cm²