パワーモジュール静特性測定装置

特徴

1. 検査（測定）対象：IGBT、IPM、P-MOS TET、SiC、GaN、Diode等
2. 検査装置特徴：超低Ls（ストレーインダクタンス）を実現

200Aの定電流波形（一例）

IGBT Vce(sat)試験回路

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