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Hitachi

株式会社 日立ハイテク

パワーモジュール、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、Diodeなどの各種静特性を常温~高温で測定し、良否判定を行います。

特徴

  1. 検査(測定)対象:IGBT、IPM、P-MOS TET、SiC、GaN、Diode等
  2. 検査装置特徴:超低Ls(ストレーインダクタンス)を実現

200Aの定電流波形(一例)
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IGBT Vce(sat)試験回路
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