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Hitachi

株式会社 日立ハイテク

パワーモジュール動特性測定装置

  • パワーモジュール(IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等)の動特性を測定します。
  • 1台でスイッチングタイム、VCE(SUS)、負荷短絡測定を実現します
  • 低インダクタンス切替器を内蔵しております。

特徴

  1. 検査(測定)対象:IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode等
  2. 検査装置特徴:超低Ls(ストレーインダクタンス)を実現

IGBT L負荷スイッチング試験回路
IGBT L負荷スイッチング試験回路

スイッチング試験のターンオン波形実測結果に基づきLs算出
スイッチング試験のターンオン波形実測結果に基づきLs算出

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