ページの本文へ

日立ハイテク
  1. Home
  2. 製品サービス・ソリューション
  3. 半導体製造装置
  4. 計測装置・検査装置
  5. 検査ソリューション
  6. 日立暗視野式ウェーハ欠陥検査装置 DI2800

日立暗視野式ウェーハ欠陥検査装置 DI2800

日立暗視野式ウェーハ欠陥検査装置 DI2800

G&Cデバイス*の製造工程中の
パターンサンプル上に発生する欠陥検出と管理に貢献

散乱強度シミュレーション技術を活用した照明及び検出光学系の最適化により、製造工程中のパターン付きウェーハ上の欠陥を高感度に検査可能で、その検出感度は鏡面ウェーハ上の0.1 μm標準粒子検出を実現しています。
これにより、G&Cデバイス*で採用される0.3 mm角の非常に小さな半導体チップのサイズも検査することが可能となり、検査シーケンス最適化により200 mmウェーハ上の欠陥検査で40枚/時間以上の処理性能を実現しています。

*) G&Cデバイスとは、グリーン&コミュニケーションデバイスの略語。具体的には、Φ100/125/150/200 mmのウェーハで生産される電子デバイス及び電子部品。(例:SAW/BAW、MEMS及びセンサー、パワー及びアナログデバイス等)

取扱会社:株式会社 日立ハイテク

特長

  • 日立ハイテク独自の暗視野検査方式による欠陥検出
  • 製造工程中のライン管理(プロセスモニター)及び良品選別(スクリーニング)に対応
  • Φ100 mm, Φ150 mm, Φ200 mmのパターン/ノンパターンウェーハサンプルに対応

仕様

検出感度 標準粒子径: 0.1 μm検出
処理能力 40枚/時間以上

関連製品

欠陥形状評価SEM CT1000

欠陥形状評価SEM CT1000

欠陥及びパターン形状の3D観察でG&Cデバイスの開発TAT短縮と品質向上に貢献

ミラー電子式検査装置 Mirelis VM1000

ミラー電子式検査装置 Mirelis VM1000

ミラー電子式検査装置
Mirelis VM1000は、SiCバルクウェーハの加工ダメージ、エピタキシャルウェーハの積層欠陥や基底面転位といった結晶欠陥を非破壊で検査します。

日立ウェーハ表面検査装置 LSシリーズ

ウェーハ表面検査装置 LSシリーズ

ウェーハ表面検査装置LSシリーズは,パターンなし(鏡面)シリコンウェーハ上に存在する微小異物や欠陥を検査する装置です。レーザー散乱応用技術を用い,パターン形成前の半導体鏡面ウェーハ上の微小異物やさまざまな欠陥を高感度・高速に検査します。低段差・平坦系欠陥であるシャロースクラッチ,ウォーターマーク,スタッキングフォールト(積層欠陥),研磨起因突起欠陥,成膜起因平坦欠陥などが不良の原因となります。LSシリーズは,これら欠陥からの散乱光を捕捉しつつ,同時にウェーハ表面からの背景ノイズを抑制することで高感度検査を実現しました。10 nmオーダーの半導体デバイス製造工程で発生する異物の管理,およびウェーハ出荷・受け入れ品質検査向けに広く活用されています。

暗視野式ウェーハ欠陥検査装置 DI4200

暗視野式ウェーハ欠陥検査装置 DI4200

高感度検出と高スループット検査による高速製品モニタリングを実現。歩留まり向上と生産コスト削減に貢献する次世代 対応暗視野式ウェーハ欠陥検査装置です。

関連リンク

お問い合わせ