欠陥形状評価SEM　CT1000

欠陥及びパターン形状の3D観察で G&Cデバイス*1の開発TAT短縮と品質向上に貢献

Φ200 mm以下のウェーハを自動搬送した後、クリティカルなパターン位置や欠陥検査装置で検出された欠陥位置へ正確に移動し、試料ステージ傾斜機能を活用して三次元的なSEM観察を行うことができます。
さらに、観察対象に対して元素分析機能（EDS：Energy Dispersive-X-ray Spectrometer）*2による構成元素の推定を可能にしました。

*1）

G&Cデバイス:グリーン＆コミュニケーションデバイスの略語。具体的には、Φ100/125/150/200 mmのウェーハで生産される電子デバイス及び電子部品。（例：SAW/BAW、MEMS及びセンサー、パワー及びアナログデバイス等）

*2）

オプション

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シグナルタワーはオプションです

取扱会社：株式会社 日立ハイテク