バッチ式イオンビームミリング装置
特長
- 最大Φ580のバケット型イオン源
- 高均一性と高スループットの両立が可能
- エッチング高レートと低レートの制御が可能
- ウェーハ（基板）自公転ステージ
- 角形状基板など 異形基板対応、異形基板混合対応、基板サイズ兼用可能
主な用途
- プリンターヘッドなどの微細加工など
装置評価
- お客さまの用途に合わせたサンプル処理を初回無償で提供します。ウェーハサイズ、処理枚数などについては当社までお問い合わせください。
仕様
| 型式 | IM-580 | IML-580-LL |
|---|---|---|
| イオン源サイズ | Φ580 | Φ580 |
| イオン源電圧 | 300～1000V | |
| 電流密度 | ～1mA/cm2 | |
| 対象基板 | Φ4インチ×10 Φ5インチ×9 Φ6インチ×8 |
Φ6インチ×6 |
| ホルダー動作 | 自公転・傾斜（※) | |
| ホルダー冷却 | 水冷／ガス冷 | 水冷／ガス冷 |
| ウェーハ交換 | 手動 | カセットtoカセット |
カセットtoカセットの装置も可能です。
