枚葉式イオンビームミリング装置
特長
- エッチング高レートと低レート制御が可能
- フィラメントレスµ波ニュートラライザ（オプション）
- EPD(終点検知器）取付（オプション)
- 反応性ガス対応(オプション)
- フィラメントレスRFバケット型イオン源(オプション)
主な用途
- MEMSの電極微細加工、高周波フィルターや化合物半導体の配線・電極加工、磁気センサーなどの微細パターン／形状加工など
装置評価
お客さまの用途に合わせたサンプル処理を初回無償で提供します。
ウェーハサイズ、処理枚数などについては当社までお問い合わせください。
仕様
| 型式 | IML-5-1 | IML-6-1 | IML-8-1 | IML-8-2 |
|---|---|---|---|---|
| イオン源サイズ | Φ200 | Φ250 | Φ350 | Φ300 |
| イオン源電圧 | 300～1000V | |||
| 電流密度 | ～1mA/cm2 | |||
| 対象基板 | Φ5インチ×1 | Φ6インチ×1 | Φ8インチ×1 | Φ8インチ×2 |
| ホルダー動作 | 自転・傾斜 | |||
| ホルダー冷却 | 水冷／ガス冷 | |||
処理室が2室の装置も可能です。
