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缺陷形貌检测SEM CT1000

缺陷形貌检测SEM CT1000

通过缺陷和图案形状的3D观察有助于缩短G&C 产品开发 TAT并提高的质量*1

自动传送 Φ200 毫米或更小的Wafer后,可将其准确移动到关键图案位置或缺陷检查设备检测到的缺陷位置,并利用样品台倾斜功能进行3D SEM观察。 此外,还可利用元素分析功能(EDS:EDS:Energy Dispersive-X-ray Spectrometer)*2 观测观察对象的组成元素。

(*1) G&C 设备:Green & Communication Devices 的缩写。
具体指在 Φ100/125/150/200 mm 晶圆上生产的电子设备和电子元件。 (如 SAW/BAW、MEMS 和传感器、功率半导体等)。

(*2) EDS为option。

特点

  • 五轴Stage可对缺陷和图案形状进行倾斜观察。
  • 元素分析功能(EDS)* 可检测异物和缺陷的组成元素。
  • 兼容 Φ100 mm、Φ150 mm 和 Φ200 mm 晶圆。

* Option

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