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日立ハイテク
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超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 SU9600

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最高分解能* × 高コントラスト × SEM/STEM複合解析

ナノスケール領域における構造解析では、高分解能観察だけでなく、観察条件に応じた最適な信号取得と多角的な評価が求められます。
SU9600は、低収差インレンズ光学系と高輝度コールドFE電子銃を搭載し、低加速電圧から高加速電圧まで安定した高分解能SEM観察を可能にします。
また、高効率に信号検出が出来るExB検出系により高コントラスト観察を実現します。
さらに、SEM/STEM同時観察により、表面形態、内部構造、結晶情報など複数の情報が一度に得られます。これらの情報を相関的に解析することで試料の状態や特性をより深く理解することが可能です。
SU9600は、研究開発から品質評価まで幅広い分野における高精度な解析を強力にサポートします。

* 二次電子像分解能 0.4 nm
2025年10月時点


価格:お問い合わせください

取扱会社:株式会社 日立ハイテク

SU9600の特⻑

自社製造による次世代のコールドFEチップと電子銃

⾼分解能観察能⼒に優れたコールドFE電⼦源が1972年に商⽤化されて以来、⽇⽴ハイテクは常に技術の改良に努めてきました。最新の電⼦銃を⽤いた装置では、⾼輝度領域で安定して電⼦線を照射することが可能になりました。SU9600では、低加速電圧においても⾼いS/Nで画像を取得するとともに、⻑時間測定や⼤電流照射分析での使⽤も可能です。

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インレンズとサイドエントリーを組み合わせた独自設計ホルダー

インレンズ型対物レンズとサイドエントリーを組合せたことで、短焦点距離を実現し球⾯収差や⾊収差の影響を効果的に抑制します。
これにより汎⽤型レンズと⽐較して⾼分解能な画像が得られ、数ナノメートル以下の微細構造の安定した観察が可能です。

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ExB 高効率信号検出の光学系

互いに直交する電界と磁界(ExBフィールド)を対物レンズ上部に形成することで、⼀次電⼦の軌道を変えずに二次電⼦を効率よく検出することができます。これにより少ないプローブ電流でもS/Nやコントラストに優れた像が得られます。

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ExB原理図

様々な検出器により、二次電子・反射電子・透過電子といった多様な信号を取得可能です。さらに、二次電子信号の制御技術により、試料特性に応じた最適な観察条件を選択でき、幅広い材料に対応した多角的な観察・解析を実現します。

新たに開発したシンチレータ型反射電子検出器(VCD)は、高速応答性能を備えており、短時間での鮮明な画像取得を可能にします。これにより、観察対象の識別性が向上し、目的部位の迅速な特定をサポートします。

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*オプション

〜迅速な試料交換による高スループットを実現するサイドエントリーホルダ〜

試料挿入位置は高分解能観察に最適なポジションに設計されており、サイドエントリー方式の採用により短時間での試料交換が可能です。

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スループット向上を支援する自動化機能*

観察条件の設定から画像取得までの一連の操作を自動化することで、効率的かつ再現性の高いデータ取得を実現します。
自動化ソフトウェアでは、倍率やステージ位置、フォーカス・コントラスト調整などの操作をブロック化し、それらを組み合わせることで観察レシピを直感的に作成できます。作成したレシピを実行することで、連続的な画像取得や広範囲観察をスムーズに行うことが可能です。
これにより、観察作業の効率化とオペレータ依存の低減を実現し、研究開発から品質評価まで、安定したデータ取得を強力にサポートします。

合計画像取得枚数:56枚
倍率:x250,000
画像取得時間:およそ15 min

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サンプル断面からの鳥観図

*オプション

アプリケーションデータ

半導体デバイス

スキャン機能の強化

様々なスキャン機能の強化により、⽬的に合わせた画像取得が可能です。これにより作業効率化を実現しました。各種スキャン機能は⾃動化⽀援機能 EM Flow Creator*との連携が可能です。

[強化内容]
  • 幅広いDwell Time設定
  • 視野内の関⼼領域のみ任意箇所の撮像*
  • 最⼤40,960×30,720pixelsの⾼精細キャプチャー*

* オプション

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高速応答の新型反射電子検出器 VCD(Variable Crystal Detector)*

高速応答性を備えた新型シンチレータ型反射電子検出器により、1秒未満のスキャン時間でも鮮明な画像取得が可能です。また、検出器の差し込み位置を可変とすることで、組成像および凹凸像の取得に対応します。

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試料:3 nm SRAM
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試料:SRAM(GAA)

BF/DF Duo-STEM検出器

BF/DF Duo-STEM検出器の暗視野では散乱角を選択した信号取得が可能です。試料と暗視野検出器面の距離を制御する事でHAADF条件での観察が可能となり、Zコントラストを強調した信号を取得可能です。

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試料:SRAM(GAA)
信号:STEM-BF(左)/DF(右)
撮影倍率:800 k

マテリアルサイエンス

インレンズ方式対物レンズによる高分解能STEM/SEM観察

低収差を実現したインレンズ型対物レンズと、STEM観察に最適化された高性能な光学系構造を採用することで、高分解能なSTEM/SEM観察の両立を可能にしました。これにより、微細構造の詳細な解析や、多様な観察モードの切り替えをスムーズに行うことができ、材料評価やデバイス解析において高い柔軟性と精度を提供します。

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試料:グラファイト担持Pt触媒
加速電圧:30 kV
信号:BF-STEM
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試料:セパレータ
照射電圧:0.5 kV
信号:二次電子(リターディング)
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試料:グラファイト触媒
加速電圧:30 kV
信号:二次電子

低加速STEM観察による軽元素試料の高コントラストSTEM像

低加速電圧での観察により、電子と試料との相互作用が強まり、軽元素を主成分とする材料に対して高いコントラストを実現します。これにより、有機材料や樹脂、バイオ試料などにおいても微細構造を鮮明に可視化することが可能となり、幅広い分野での観察・解析を強力にサポートします。

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試料:トナー断面
信号:BF-STEM

主な仕様

仕様

項目 内容
二次電子分解能 0.4 nm(加速電圧:30 kV)
1.0 nm(加速電圧:1 kV)
0.6 nm(照射電圧:1 kV*1)
STEM分解能*2 0.34 nm(加速電圧:30 kV / 走査透過電子像による格子像)
加速電圧 0.5 〜 30 kV
照射電圧*1 0.01 〜 20 kV
試料ステージ可動範囲 X: ±4.0 mm、Y: ±2.0 mm、Z: ±0.3 mm、T: ±40 °
最大搭載
試料サイズ
平面試料台 5.0 mm × 9.5 mm × 3.5 mm(高さ)(最大)
断面試料台 2.0 mm × 6.5 mm × 5.0 mm(高さ)(最大)

装置構成・機能

項目 内容
電子銃 冷陰極電界放出形電子銃
倍率 80 〜 3,000,000 x
最大画素数 10,240 × 7,680、40,960 × 30,720*2
検出器 検出器 二次電子検出器(SE/BSE 信号 検出比率可変機能付)
Top 検出器*2
VCD(Variable Crystal Detector)*2
BF/DF Duo-STEM 検出器*2
エネルギー分散形X 線検出器*2

*1: リタ―ディング機能ユニット(オプション)使⽤時。
1 kV分解能数値はリタ―ディング⽤平⾯ホルダー/Top検出器(オプション)使⽤時の値です

*2: オプション

関連情報

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