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Hitachi

株式会社 日立ハイテク

イオンミリング装置

IOT・車載デバイスの圧電・磁性材料のエッチングに実験から量産まで貢献

新型拡散ビーム装置

新型拡散ビーム装置

特徴

  • 新開発の拡散ビームにより小径の電極で大面積の加工が可能
  • φ100mmウェハ×6枚を全数同時処理可能
  • 自公転型ウェハホルダーにより良好な面内均一性を実現
Batch No.Etching Rate(SiO2)
(nm/min)
Uniformity(±%)
1 21.4 2.2
2 21.5 2.1
3 21.6 2.2

R&D用小型ミリング装置

R&D用小型ミリング装置(CIMシリーズ)

特徴

  • 実験開発向けに特化したスタンドアローン型装置
  • 電装系、電源類等を1台に納めたコンパクト設計
  • φ75、φ100、φ125mmウェハまで対応
    ※特殊ワーク形状に関しては御相談ください。
  • 基板冷却、基板電位中和機能、基板自転、ステージ傾斜付き

枚葉式装置

枚葉式装置 IML-8-1M

特徴

  • 物理エッチング:Arビームにより、材料の反応性に関わらず加工が可能
    (例)PZT、LN、LT、NiFe、Au、複合材料、多層膜等)
  • 加工温度:優れた冷却機構により、材料の圧電特性消失、結晶構造変化、膨張、PRの変化を抑制
  • 帯電抑制:独自の中和機構により、加工時に材料の帯電を抑制
  • 選択性:安定、高均一なエッチング、更に終点検知器によるJUSTエッチングが可能
  • 加工形状:ビーム入射角、ビーム発散角コントロールによりテーパー角度を調整
  • 面内分布:優れた面内均一性、面内での内外周レートのコントロールを実現
  • 装置仕様:豊富な装置ラインナップにより、小径から大口径、枚葉からバッチ式まで対応

LT基板のトレンチ加工例
LT基板のトレンチ加工例

LLバッチ式装置

ロードロックバッチ式装置 IML-580-LL

特徴

  • 物理エッチング:Arビームにより、材料の反応性に関わらず加工が可能
    (例)PZT、LN、LT、NiFe、Au、複合材料、多層膜等)
  • 加工温度:優れた冷却機構により、材料の圧電特性消失、結晶構造変化、膨張、PRの変化を抑制
  • 帯電抑制:独自の中和機構により、加工時に材料の帯電を抑制
  • 選択性:安定、高均一なエッチング、更に終点検知器によるJUSTエッチングが可能
  • 加工形状:ビーム入射角、ビーム発散角コントロールによりテーパー角度を調整
  • 面内分布:優れた面内均一性、面内での内外周レートのコントロールを実現
  • 装置仕様:豊富な装置ラインナップにより、小径から大口径、枚葉からバッチ式まで対応

LT基板のトレンチ加工例
LT基板のトレンチ加工例

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