イオンミリング装置

新型拡散ビーム装置

特徴

• 新開発の拡散ビームにより小径の電極で大面積の加工が可能
• φ100mmウェハ×6枚を全数同時処理可能
• 自公転型ウェハホルダーにより良好な面内均一性を実現

R&D用小型ミリング装置

特徴

• 実験開発向けに特化したスタンドアローン型装置
• 電装系、電源類等を1台に納めたコンパクト設計
• φ75、φ100、φ125mmウェハまで対応
  ※特殊ワーク形状に関しては御相談ください。
• 基板冷却、基板電位中和機能、基板自転、ステージ傾斜付き

枚葉式装置

特徴

• 物理エッチング：Arビームにより、材料の反応性に関わらず加工が可能
  （例）PZT、LN、LT、NiFe、Au、複合材料、多層膜等)
• 加工温度：優れた冷却機構により、材料の圧電特性消失、結晶構造変化、膨張、PRの変化を抑制
• 帯電抑制：独自の中和機構により、加工時に材料の帯電を抑制
• 選択性：安定、高均一なエッチング、更に終点検知器によるJUSTエッチングが可能
• 加工形状：ビーム入射角、ビーム発散角コントロールによりテーパー角度を調整
• 面内分布：優れた面内均一性、面内での内外周レートのコントロールを実現
• 装置仕様：豊富な装置ラインナップにより、小径から大口径、枚葉からバッチ式まで対応

LT基板のトレンチ加工例

LLバッチ式装置

特徴

• 物理エッチング：Arビームにより、材料の反応性に関わらず加工が可能
  （例）PZT、LN、LT、NiFe、Au、複合材料、多層膜等)
• 加工温度：優れた冷却機構により、材料の圧電特性消失、結晶構造変化、膨張、PRの変化を抑制
• 帯電抑制：独自の中和機構により、加工時に材料の帯電を抑制
• 選択性：安定、高均一なエッチング、更に終点検知器によるJUSTエッチングが可能
• 加工形状：ビーム入射角、ビーム発散角コントロールによりテーパー角度を調整
• 面内分布：優れた面内均一性、面内での内外周レートのコントロールを実現
• 装置仕様：豊富な装置ラインナップにより、小径から大口径、枚葉からバッチ式まで対応

LT基板のトレンチ加工例