이온 밀링 시스템
확산빔 모델
특징
- 새롭게 개발된 확산 이온빔으로 소경 전극으로 대면적 가공을 실현
- φ100mm 웨이퍼 6장을 한번의 가공으로 동시에 처리 가능
- 자/공전형 웨이퍼 홀더로 우수한 면내 균일성을 실현
| Batch No. | Etching Rate (SiO2) (nm/min) |
Uniformity(±%) |
|---|---|---|
| 1 | 21.4 | 2.2 |
| 2 | 21.5 | 2.1 |
| 3 | 21.6 | 2.2 |
R&D용 소형 밀링
특징
- 연구개발용으로 특화된 스탠드얼론(Stand-alone) 모델
- 전기 장치, 전원 서플라이어 등의 구성품을 1대에 실장한 컴팩트한 설계
- 다양한 사이즈의 웨이퍼 대응 가능
- 기판냉각, 기판전위 중화기능, 기판 로테이팅, 스테이지 경사 조절 기능 탑재
낱개입 타입
특징
-
물리적 에칭: Ar빔으로 재료의 반응성과 관계없이 가공이 가능
(예) PZT, LN, LT, NiFe, Au, 복합재료, 다층막 등) - 가공 온도: 우수한 냉각기구로 재료의 압전특성소실, 결정구조변화, 팽창, PR의 변화를 억제
- 대전 억제: 독자 중화기구로 가공시에 대전을 억제
- 선택성: 안정적이고 고균일한 에칭, 더욱이 종점검지기를 탑재하므로써 JUST에칭이 가능
- 가공형상: 빔입사각, 빔발산각을 컨트롤함으로써 테이퍼각도를 조절
- 면내분포: 우수한 면내균일성, 면내에서의 내외주 비율의 컨트롤을 실현
- 장비 사양: 소경~대구경, 낱개입 타입과 배치 타입까지 다양한 장비 라인업
로드락 배치 타입
특징
-
물리적 에칭: Ar빔으로 재료의 반응성과 관계없이 가공이 가능
(예) PZT, LN, LT, NiFe, Au, 복합재료, 다층막 등) - 가공 온도: 우수한 냉각기구로 재료의 압전특성소실, 결정구조변화, 팽창, PR의 변화를 억제
- 대전 억제: 독자 중화기구로 가공시에 대전을 억제
- 선택성: 안정적이고 고균일한 에칭, 더욱이 종점검지기를 탑재하므로써 JUST에칭이 가능
- 가공형상: 빔입사각, 빔발산각을 컨트롤함으로써 테이퍼각도를 조절
- 면내분포: 우수한 면내균일성, 면내에서의 내외주 비율의 컨트롤을 실현
- 장비 사양: 소경~대구경, 낱개입 타입과 배치 타입까지 다양한 장비 라인업
