－ルネサス東セミ製の半導体組立装置－
2006年3月30日
株式会社日立ハイテクノロジーズ（執行役社長：林 將章／以下、日立ハイテク）は、当社が販売を行っている株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ（社長：笠木 理／以下、ルネサス東セミ）製の300mmウェーハ対応のダイボンダー（後工程組立装置）について、このほど累計出荷台数600台を達成しました。
これにより、ダイボンダー世界市場において2005年度シェア、および売上高No．1を獲得することとなりました。
ダイボンダーは、半導体組立のダイボンディング工程で使用され、ダイシングされたウェーハからチップを取り出し、リードフレームや基板などのインターポーザーに搭載する装置です。ルネサス東セミでは、フェイスアップ構造のエポキシダイボンダー（DBシリーズ）、およびLOC／BOC(Lead/Board－On－Chip)構造のCSPダイボンダー（CMシリーズ）の2機種をラインナップしており、共に高生産性、高安定性が市場から高く評価されています。
ルネサス東セミは、1998年に他社に先駆けて300mmウェーハ対応のダイボンダーを世界市場に投入し、日立ハイテクは、ルネサス東セミ協力の下、主に韓国、台湾組立メーカーのメモリー組立用に販売を開始しました。汎用性のある一般的な銀ベーストを用いたエポキシボンダーとDRAM専用装置の2機種を投入し、特にDRAMパッケージの主流であるLOC／BOC用CSPボンダーは現在80％以上（当社推定）のシェアを獲得しています。
すでに、2005年5月に累計300台の出荷を達成していましたが、それ以降も前工程からの300mmウェーハ供給増加により販売が加速し、ダイボンダー市場が前年割れの中、2005年度の世界シェアトップを獲得しました。
デジタル機器の小型、高機能化により一つのパッケージ内に複数チップを内蔵するSiP（System in Package）、MCP（Multi Chip Package）の需要が拡大しており、それらの大半がチップ積層型の構造となっています。それにより、パッケージの高さ制限から1個あたりのチップ厚は50μｍ以下となりますが、ルネサス東セミはこの極薄チップの搭載技術においても先行しており、一部の顧客では既に量産ラインで採用されています。
日立ハイテクは、半導体後工程も戦略市場と捉え、SiP、フリップチップ（Flip Chip）、WLP(Wafer Level Packaging)等の先端パッケージニーズに応えるべく、今後もルネサス東セミとの強力な販売体制で、ダイボンダー市場でのシェアトップ維持、拡大を目指していきます。
エポキシダイボンダー「DB-700」
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