－高分解能、高精度、高スループットを実現した半導体計測装置－
2006年12月6日
株式会社日立ハイテクノロジーズ（執行役社長：林 將章／以下、日立ハイテク）は、半導体デバイスの最先端微細プロセス計測に対応した新型の高分解能ＦＥＢ測長装置「CG4000」を開発し、このたび発売を開始しました。
本装置は、サブナノレベルでの計測精度の実現に向け現行の「S-9000シリーズ」のプラットホームを一新し、高分解能、高精度測長再現性、高スループットを図った最新鋭の測長SEM（*1）です。
年々着実に微細化が進む最先端の半導体デバイスの製造プロセスでは、65nm(DRAMハーフピッチ)レベルの量産が開始され、さらに45nm、32nmと次世代、次々世代のデバイス開発が進行しています。これに伴い微細化プロセスのパターン寸法管理の要となる測長SEMも、より一層の性能向上を求められています。
今回開発した「CG4000」は、これら次世代デバイス製造プロセスの高度な要求に対応するため、現行の測長SEM「S-9000シリーズ」のプラットホームを一新し、耐環境性能の向上、より高い測長精度と自動化率向上を実現しました。これによりスループットが飛躍的に向上し、さらに測長再現性、測長安定性を大幅に改善しました。「CG4000」では、平均寸法計測機能（ACD）を高精度化し、日立ハイテクが業界標準化を推進してきたLER（*2）計測機能など、多くの最先端プロセスアプリケーション対応機能を搭載しています。
ハイテクは測長SEMの世界トップメーカーとして、自信をもって「CG4000」をご提供させていただきます。
【主な特長】
高分解能FEB測長SEM
「CG4000」
【主な仕様】
| 分解能 | 1.8nm（加速電圧：800V） |
|---|---|
| 加速電圧 | 300～1,600V（10Vステップ） （200～2,000V：オプション） |
| 再現性 | ±1％、または0.3nm（3σ）以下 （試料：日立標準ウェーハ使用） |
| ウェーハサイズ | 300mm（200mm） |
高分解能FEB測長装置「CG4000」の製品詳細情報
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