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2011年8月22日

株式会社日立ハイテクノロジーズ（執行役社長：久田　眞佐男／以下、日立ハイテク）は、2011年8月19日に、集束イオンビームを利用したマイクロサンプリング技術に関連する日本特許第2,774,884号*の特許権を侵害したとして、特許権の存続期間満了に鑑み、日本エフイー・アイ株式会社に対して損害賠償の請求訴訟を東京地方裁判所に提起しました。

日立ハイテクは、知的財産権を極めて重要な経営資源と位置付けており、今後とも日立ハイテクの知的財産権が侵害されたと判断した場合には、毅然とした態度で臨んでいく所存です。

（ご参考）

• * 日本特許第2,774,884号：
  本特許に基づき、日立ハイテクは東京地方裁判所にQuanta 3D FEG（オムニプローブまたはオートプローブ、及びプラチナ・デポジションガス、タングステン・デポジションガスまたはカーボン・デポジションガスのいずれかのガス源が搭載されたGIS装置*を備えたもの）の製造、販売および輸入の差止仮処分申立をし、仮処分決定が下されました(2011年6月15日）。これに対し、日本エフイー・アイ株式会社は不服申立を行いましたが、知的財産高等裁判所において棄却されました(2011年8月12日)。
• * GIS装置：ガスインジェクションシステム（Gas Injection System）装置