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Hitachi

株式会社 日立ハイテクノロジーズ

2017年01月30日
株式会社 日立ハイテクノロジーズ
Picosun Oy

株式会社日立ハイテクノロジーズ(執行役社長:宮﨑 正啓/以下、日立ハイテク)とPicosun Oy(Chairman of the Board: Kustaa Poutiainen/本社:フィンランド/以下、ピコサン社)は、このたび、プラズマを利用した原子層堆積*1 (Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition, PE-ALD) 装置の共同開発についてお知らせします。本装置に搭載予定の共同開発によるマイクロ波ECR (Electron Cyclotron Resonance) プラズマを用いたALD技術は、半導体デバイス製造時の成膜工程にて、微細化や三次元構造への対応を実現し、革新をもたらすものです。

今般、半導体デバイスの技術革新は急激なスピードで進み、微細化や三次元構造化など、さまざまな先端技術が日々進化を遂げています。それに伴い、半導体製造プロセスの一環である成膜工程の技術も進化し、近年はアスペクト比*2が高い構造体などへの成膜が得意なALDの活用が進んでいます。しかし従来のALDでは、膜質劣化の懸念から成膜工程の低温化が制限されていました。

現在共同開発中のPE-ALD装置は、日立ハイテクのマイクロ波ECRプラズマ技術とピコサン社のALD技術という、双方が長年培ってきた技術を組み合わせることで、プラズマによる成膜反応を促進させ、既存のPE-ALD装置よりも低温にて高品質の膜を生成することができます。低温で高品質成膜が可能となったことで、今後の多機能化・微細化・三次元構造化・薄膜化に対して有力なソリューションとなります。 現在、複数の膜種について評価中であり、窒化膜や酸化膜などの膜については、300mmウェーハを用いて優れた膜質を確認済みです。

薄膜技術に関し、マイクロ波ECRプラズマをベースとするソリューションを持つ日立ハイテクと、最先端のALD技術を持つピコサン社は、本案件を通じて半導体業界の将来に貢献してまいります。

*1
原子層堆積(ALD):複数種の原料を交互に供給することで、原子を堆積させる成膜方法
*2
アスペクト比:物質表面の凹凸の深さと幅の比率の値が高いことを示し、当値が高いほど加工・計測が難しい

ピコサン社の概要

ピコサン社の概要
名称 Picosun Oy
所在地 フィンランド
代表者 Chairman of the Board: Kustaa Poutiainen
事業内容 ALD成膜装置の開発・製造・販売・サポート
設立年 2004年

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担当:三瀬  TEL: 050-3139-4689
報道機関お問い合わせ先
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CSR本部 CSR・コーポレートコミュニケーション部 
担当:佐野、松本  TEL:03-3504-3933
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