SiCウェーハの結晶欠陥・加工ダメージの非破壊検査を実現
ミラー電子式検査装置 Mirelis VM1000は、SiC*1バルクウェーハ*2の加工ダメージや基底面転位、エピタキシャルウェーハ*3の積層欠陥や貫通転位などの結晶欠陥の非破壊検査を実現することで、次世代パワーデバイス用SiCウェーハの開発、工程管理、品質管理を強力にサポートします。
取扱会社：株式会社 日立ハイテク
ミラー電子式の特長である電位ポテンシャル変化を捕らえることで、SiCバルクウェーハの加工ダメージや、SiCエピタキシャルウェーハの結晶欠陥（積層欠陥、基底面転位、貫通らせん転位、貫通刃状転位）など、ウェーハ内部の検査が可能。
入射電子線がウェーハに到達する直前で、電位面で反射するため、ウェーハの非接触検査・非破壊検査を実現。これによりウェーハの出荷検査にも活用可能。
ウェーハホルダー交換により直径75mm、100mm、150mmの複数ウェーハ口径に対応。
バルクウェーハの加工ダメージ
（FOV：80μm）
エピタキシャルウェーハの結晶欠陥
（FOV：80μｍ）
| 対応ウェーハサイズ | 直径75mm、100mm、150mm |
|---|---|
| オートローダー | 2ポート |
| 画像処理機能 | タイリング機能、欠陥抽出機能他 |
| 装置寸法（本体） | 1180(W) x 2500(D) x 1990(H)mm |
| 電源 | 単相AC200V、208V、230V、6kVA（50/60Hz） |
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