ミラー電子式検査装置 Mirelis VM1000

SiCウェーハの結晶欠陥・加工ダメージの非破壊検査を実現

　ミラー電子式検査装置 Mirelis VM1000は、SiC^*1バルクウェーハ^*2の加工ダメージ並びにエピタキシャルウェーハ^*3の積層欠陥や基底面転位といった結晶欠陥の非破壊検査を実現することで、次世代パワーデバイス用SiCウェーハの開発、工程管理、品質管理を強力にサポートします。

*1: SiC（Silicon Carbide）：炭化ケイ素
*2: バルクウェーハ：インゴットより切り出し研磨したウェーハ
*3: エピタキシャルウェーハ：気化させた複数の化学物質をバルクウェーハ上に加え加熱することで、バルクウェーハと同様の原子配列である結晶（膜）を、バルクウェーハ上に生成・成長させたウェーハ

取扱会社：株式会社日立ハイテクノロジーズ

特長

ミラー電子式の特長である電位ポテンシャル変化を捕らえることで、SiCバルクウェーハの加工ダメージや、SiCエピタキシャルウェーハの結晶欠陥（積層欠陥、基底面転位、貫通らせん転位、貫通刃状転位）など、ウェーハ内部の検査が可能。

入射電子線がウェーハに到達する直前で、電位面で反射するため、ウェーハの非接触検査・非破壊検査を実現。これによりウェーハの出荷検査にも活用可能。

ウェーハホルダー交換により直径75mm、100mm、150mmの複数ウェーハ口径に対応。

バルクウェーハの加工ダメージ
（FOV：80μm）

エピタキシャルウェーハの結晶欠陥
（FOV：80μｍ）