日立イオンミリング装置のスタンダードモデルであるIM4000IIは、断面ミリングと平面ミリング（フラットミリング®*1）に対応しています。冷却温度調整機能や雰囲気遮断ホルダユニットなど、各種オプションにより、さまざまな試料の断面試料作製が可能です。
IM4000IIは500 µm/h*1以上の断面ミリングレートを実現したイオンガンを搭載しています。 硬質材料の断面試料作製に有効です。
試料：Siウェハ（2 mm厚）
加速電圧：6.0 kV
スイング角度：±30°
ミリング時間：1 時間
断面ミリング時のスイング角度が変わると、加工幅や加工深さが変化します。下図はSiウェハをスイング角度±15°で断面ミリングしたときの結果です。スイング角度以外は上記加工条件と同一です。上記結果と比べて加工深さが深いことがわかります。
深部に対象構造がある試料の迅速な断面作製には有効です。
試料：Siウェハ（2 mm厚）
加速電圧：6.0 kV
スイング角度：±15°
ミリング時間：1 時間
断面ミリングの主な用途
デュワーに充填した液体窒素を冷却源として試料を間接冷却します。樹脂およびゴム系の試料の過冷却を防止する目的として温度制御する機能を搭載しています。
常温ミリング
冷却ミリング（-100 ℃）
イオンミリング処理後の試料を大気暴露することなくSEM*1, AFM*2で観察するためのホルダです。本ホルダは冷却機能との併用も可能です（平面ミリングホルダは除く）。
ミリング中の試料を観察できる実体顕微鏡です。CCDカメラが搭載できる三眼タイプではモニター観察が可能です。三眼タイプの他に双眼タイプも準備しています。
| 主な仕様 | |
|---|---|
| 使用ガス | Ar（アルゴン）ガス |
| Arガス流量制御方式 | マスフローコントローラー |
| 加速電圧 | 0.0 ～ 6.0 kV |
| 大きさ | 616(W)×736(D)×312(H) mm |
| 質量 | 本体53 kg＋ロータリーポンプ30 kg |
| 断面ミリング | |
| 最大ミリングレート（材料Si） | 500 µm/h*1 以上 |
| 最大試料サイズ | 20(W）×12(D）×7（H）mm |
| 試料移動範囲 | X±7 mm、Y 0 ～+3 mm |
| イオンビーム間欠照射 ON/OFF時間設定範囲 |
1秒 ～ 59分59秒 |
| スイング角度 | ±15°、±30°、±40° |
| ワイドエリア断面ミリング機能 | - |
| 平面ミリング | |
| 最大照射範囲 | φ32 mm |
| 最大試料サイズ | Φ50 X 25 (H) mm |
| 試料移動範囲 | X 0～＋5 mm |
| イオンビーム間欠照射 ON/OFF時間設定範囲 |
1秒 ～ 59分59秒 |
| 回転速度 | 1 rpm、25 rpm |
| スイング角度 | ±60°、± 90° |
| イオンビーム照射角度 | 0 ～ 90° |
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 冷却温度調整機能*2 | 液体窒素による間接試料冷却、温度設定範囲 0 ～-100℃ |
| 高ビーム耐性マスク(Co-Zero®)*3 | 当社標準マスク比で約2倍のビーム耐性マスク（コバルト不含有） |
| 加工観察用実体顕微鏡 | 倍率 15×～100× 2眼ﾀｲﾌﾟ、3眼ﾀｲﾌﾟ（CCD対応） |
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