미소디바이스 특성평가 장비 Nano Prober NP6800

NP6800은 10 nm 이하의 디바이스도 분석 가능한 SEM 기반의 Nano Probing 전용기입니다. 정밀 Piezo Actuator를 XYZ 3축에 탑재, 탐침 또한 정밀하게 제어하여 실제 회로 상에 접촉시켜, 단일소자인 MOS Transistor 특성 측정이 가능하게 합니다.
제품의 컨셉은, 광학 기계식 Probing 시스템의 용이한 조작성을 SEM의 진공환경에서도 동일하게 실현하는 것으로, 탐침 조작은 직감적으로 진공 중임을 느끼지 못하게 설계된 Probing System입니다.

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개요 특징 사양 측정 예시

개요

신형 Cold FE 전자총에 의해, 고휘도로도 장시간 안정된 관찰이 가능합니다.
±75 µm의 시야이동 (Image Shift) 량
8탐침 대응
온도 의존 특성 평가용 고･저온 Stage
탐침 위치 조정용 Top･Side CCD 카메라
탐침과는 독립하여 가동할 수 있는 시료 서브 Stage
전용 탐침 교환실
EBAC (전자선 흡수 전류 Image 측정)
DI-EBAC (전압인가형 EBAC기능) (특주대응)
Pulse 평가 기능 (특주대응)

14 nm 디바이스에 Probing 했을 때의 실시간 SEM Image (가속전압 0.5 kV)

특징

Prober의 위치 제어 및 SEM 관찰에 대한 컨트롤 기능이 집약된 GUI

Probe 위치 조정용 CCD 카메라

20 kV로 관찰한 복수 배선층의 EBAC Image

Probe 및 Sample 관찰용 저가속, 고분해능 실시간 SEM Image

사양

항목		내용
Probe Unit	Unit 개수 (탐침수)	8
	가동방식	Piezo 소자 사용
	미동범위	5 µm (X, Y축)
	Coarse Range 범위	3 mm (X축), 5 mm (Y축)
시료 Stage / Base Stage	시료 크기	15 mm × 15 mm, 두께 1 mm이하
	이동 포지션	측정 위치, 시료 교환 위치, 탐침 교환 위치
	시료 교환 / 탐침 교환	예비 배기실 있음
	Prober Navigation	Probe 위치로 Stage 이동
	Prober Navigation	측정 위치 기억
탐침 rough 조정	CCD Image 표시기능	Side / Top 에서 관찰한 Image 표시
전자광학계	전자총	냉음극 전계 방출형 전자총
	가속전압	0.5～30 kV
	Image Shift	±75 µm이상 (1.0 kV, WD=5 mm)
EBAC Amp / 화상 표시	Amp 종류	Current Amp / Differential Amp
	화상 표시	SEM Image / EBAC Image
	화상 표시	단독 / 병렬 / 결합 표시
	화상 처리	흑백 반전 표시, 컬러 표시 기능, 밝기 조정, Slow Scan integration, Belt Scan
크기·무게	본체	1,190 (W) × 1,377 (D) × 1,800 (H) (mm)
	본체	990 kg
	Display	1,000 (W) × 1,004 (D) × 1,200 (H) (mm)
	Display	265 kg
	EBAC Unit	600 (W) × 1,000 (D) × 1,760 (H) (mm)
	EBAC Unit	150 kg
디바이스 측정 대응 실적		7 nm 디바이스 전기 특성 평가 완료