高精度实时三维分析FIB-SEM三束系统 NX9000

追求理想的三维结构分析

通过自动重复使用FIB制备截面和进行SEM观察，采集一系列连续截面图像，并重构特定微区的三维结构。
采用理想的镜筒布局，从先进材料、先进设备到生物组织——在宽广的领域范围内实现传统机型难以企及的高精度三维结构分析。

特点

SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，形成三维结构分析理想的镜筒布局
融合高亮度冷场发射电子枪与高灵敏度检测系统，从磁性材料到生物组织——支持分析各种样品
通过选配口碑良好的Micro-sampling^®系统^*和Triple Beam^®系统^*，可支持制作高品质TEM及原子探针样品

垂直入射截面SEM观察可忠实反映原始样品结构

SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，实现FIB加工截面的垂直入射SEM观察。
旧型FIB-SEM采用倾斜截面观察方式，必定导致截面SEM图像变形及采集连续图像时偏离视野，直角型结构可避免出现此类问题。
通过稳定获得忠实反映原始结构的图像，实现高精度三维结构分析。
同时，FIB加工截面（SEM观察截面）与样品表面平行，有利于与光学显微镜图像等数据建立链接。

样品：小白鼠脑神经细胞
样品来源：自然科学研究机构/生理学研究所窪田芳之先生

Cut&See/3D-EDS^1/3D-EBSD^1可支持各种材料

Cut&See

从生物组织及半导体到钢铁及镍等磁性材料——支持低加速电压下的高分辨率和高对比度观察。
FIB加工与SEM观察之间切换时，不需要重新设定条件，可高效率的采集截面的连续图像

样品：镍
SEM加速电压：1 kV
加工间距：20 nm
重复次数：675次

3D-EDS^*1

不仅支持截面SEM图像，也支持连续采集一系列截面的元素分布图像。
通过选配硅漂移式大立体角EDS检测器^*1，可缩短测定时间以及可在低加速电压下采集元素分布图像。

样品：燃料电池电极
SEM加速电压：5 kV
加工间距：100 nm
重复次数：212次

样品来源：东京大学生产技术研究所鹿园直毅教授

3D-EBSD^*1

以理想的方式配置SEM/FIB/EBSD检测器^*1，在FIB加工与EBSD分析之间无需移动样品台即可实现3D-EBSD。因为无需移动样品台，所以可大幅提高三维晶体取向分析的精度和效率。

样品：镍
SEM加速电压：20 kV
加工间距：150 nm
重复次数：150次

*1 选配

规格

项目		内容
SEM	电子源	冷场场发射型
	加速电压	0.1 ～ 30 kV
	分辨率	2.1 nm@1 kV
	分辨率	1.6 nm@15 kV
FIB	离子源	镓
	加速电压	0.5 ～ 30 kV
	分辨率	4.0 nm@30 kV
	最大束流	100 nA
标准探测器		In-colum二次电子探测器/In-colum背散射电子探测器/ 样品室二次电子探测器
样品台	X	0 ～ 20 mm ^*2
	Y	0 ～ 20 mm ^*2
	Z	0 ～ 20 mm ^*2
	θ	0 ～ 360° ^*2
	τ	-25 ～ 45° ^*2
最大样品尺寸		正方形边长6 mm × 厚度2 mm