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日立ハイテク

LEIS(低エネルギーイオン散乱分光法)は数 keV程度の低エネルギーのイオンを用いる表面最近傍や単原子膜等に極めて敏感でかつ元素分析と構造解析が同時にリアルタイム観測できる手法です。触媒分野、超薄膜製膜、自己成長膜等の構造解析に多用されております。
一次イオンの自動切替え機構やユニークな静電アナライザにより、全方位の散乱イオンを同時に計測することで、既存のLEISに比べ約3,000倍の感度を実現しました。

主な特長

  • 最表層原子の定性、定量が可能
  • 360°全方位の散乱イオンを取り込み
  • 入射イオン同軸垂直入射(He, Ne, Ar, Kr等)
  • 各種クリーニング機構、帯電補償システム搭載

低エネルギーイオン散乱分光装置(LEIS)

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