超高分辨场发射扫描电子显微镜 SU9600

实现超高分辨率×高通量×自动化/易用性。
全新旗舰机型“SU9600”隆重登场。

半导体微缩化和尖端材料的开发离不开纳米级的形态观察。日立高新一直致力于开发保证亚纳米级分辨率的扫描电子显微镜（SEM）。新产品“SU9600”通过继承前代机型^＊1所具备的0.4 nm（30 kV）超高分辨率^＊2，凭借稳定的高分辨观察与高通量性能，能够为新工艺新材料的研发评估提供强大技术支撑。

＊1： SU9000Ⅱ

＊2： 截至2025年10月

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SU9600的特点

自1972年高分辨观察能力出色的冷场发射电子源实现商业化以来，日立高新始终致力于技术革新。SU9600采用全新电子枪，能够稳定地提供高亮度电子束。
不仅可以在低加速电压下获得高信噪比（S/N）的图像，还可以用于长时间测试以及大束流照射分析。

通过在物镜上方形成相互正交的电场和磁场（ExB field），可以在不改变入射电子轨迹的前提下高效检测二次电子。因此，即使使用较小的探针电流，也能获得高信噪比、高衬度图像。

内透镜物镜通过实现短焦距，可以有效抑制球差和色差的影响。因此相比普通物镜，内透镜物镜可以获得更高分辨率的图像，实现数纳米以下微小结构的稳定观察。

利用多种探测器可以得到二次电子、背散射电子以及透射电子信号。此外，可以通过控制二次电子信号的多少，针对不同材料特性提供多种观察方案。新开发的闪烁体式背散射电子探测器（VCD）提高了响应速度，可以更便捷地锁定观察位置。

＊选配

新增多种扫描功能，可以根据不同测试需求获取相应的图像，从而提升测试效率。
各种扫描功能还可以与自动化辅助功能 EM Flow Creator^＊联动。

＊选配

项目		内容
电子枪		冷场发射电子源
二次电子分辨率		0.4 nm（加速电压：30 kV）
		1.0 nm（加速电压：1 kV）
		0.6 nm（着陆电压：1 kV^*1）
STEM分辨率^*2		0.34 nm（加速电压：30 kV / 扫描透射电子像获得的晶格像）
加速电压		0.5 〜 30 kV
着陆电压^*1		0.01 〜 20 kV
放大倍率		80 〜 3,000,000 x
最大像素数		10,240 × 7,680、40,960 × 30,720^*2
马达台		侧插式测角台
样品马达台可移动范围		X： ±4.0 mm、Y： ±2.0 mm、Z： ±0.3 mm、T： ±40 °
最大样品尺寸	平面样品台	5.0 mm × 9.5 mm × 3.5 mm（高度）（最大）
最大样品尺寸	截面样品台	2.0 mm × 6.5 mm × 5.0 mm（高度）（最大）
探测器	探测器	二次电子探测器（SE/BSE信号探测比例可变）
		顶探测器^*2
		VCD(Variable Crystal Detector)^*2
		BF/DF Duo-STEM 探测器^*2
		能谱仪（EDS）^*2