1998年度作品「絶壁に立つ超高層ビル」
©（株）日立製作所 計測器事業部 富田正弘
直接加熱方式の試料加熱ホルダーと簡易型雰囲気試料反応室を用い、タングステン線ヒーターに付着させたSi粒子を加熱することにより、成長させたSi-W-Oウィスカー結晶の高分解能TEM像です。酸化したSi粒子の表面にまっすぐに成長した姿は超高層ビルを思い浮かばせます。
1998年（第54回）日本電子顕微鏡学会
写真コンクール 金賞受賞作品
撮影条件
- 試料：Si-W-O ウィスカー
- 測定装置：電子顕微鏡 H-9000NAR
- 撮影倍率：200,000倍
- 加速電圧：300 kV
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*: この作品は日本顕微鏡学会主催、「写真コンクール」に出展された作品です。
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